[发明专利]制作光电池的方法

权利要求书

1.一种制作光电池的方法，其中至少一层半导体材料连续地沉积在碳带(10)上以形成复合带(20)，所述层具有与接触碳带的表面相对的自由表面(22、24)，所述碳带(10)在所述方法期间被消除，该方法的特征在于包括，在消除所述碳带(10)之前，至少一种处理(28)从所述自由表面(22、24)施加到所述半导体材料层，从而在所述层上实现所述电池的光电功能，和在所述碳带(10)消除之后，对与所述自由表面(22、24)相对的所述半导体材料层表面施加至少一个操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个接触区域，该表面构成所述电池的后表面，所述前驱体材料包括保持所述半导体材料的n或p掺杂类型的掺杂剂元素。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个结区域，该表面构成所述电池的后表面，所述前驱体材料包括改变所述半导体材料的掺杂类型的掺杂剂元素。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述处理包括形成多个区域，该多个区域将所述接触区域与所述结区域电学绝缘。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述区域是通过在所述自由表面(22、24)上沉积氧化材料而形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个结区域，该表面构成所述电池的前表面，所述前驱体材料包括改变该半导体材料的掺杂类型的掺杂剂元素。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述处理包括在所述半导体材料层内与所述自由表面(22、24)垂直地刺穿成孔，所述孔穿过所述半导体材料层(16、18)。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过激光执行所述刺穿。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述处理包括消融覆盖所述复合带侧面的半导体材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体材料通过下述方法之一除去：激光消融、喷水辅助的激光消融、等离子体消融。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碳带(10)在执行所述处理(28)之后通过烧掉而消除。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在烧掉所述碳带期间实现所述前驱体的掺杂剂扩散到所述半导体材料内。

13.根据权利要求2、3和6中任意一项所述的方法，其特征在于，在烧掉所述碳带期间实现所述前驱体的掺杂剂扩散到所述半导体材料内。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述处理连续地执行。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述复合带(10)被切割以形成复合条(36、38)，所述处理施加到所述复合条。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，通过消除所述复合带(36、38)的碳来得到半导体材料条，且至少一个下述操作在所述半导体材料条上执行：织构化所述光电池的前表面；实现结区域；在所述电池的前表面上沉积抗反射层；在所述电池的前和后表面上沉积电学接触。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述条的长度范围为1.0m至4.50m。

18.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体材料为硅。

19.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述复合带(20)通过基板上带生长方法制作，所述带则包括围绕所述碳带(10)的两个半导体材料层(16、18)，所述半导体层的每一个具有被施加所述处理的自由表面(22、24)。

20.根据权利要求2、3和6中任意一项所述的方法，其特征在于，如果期望提高p型掺杂，则所述前驱体材料是基于填充有硼的氧化物，或者如果期望提高n型掺杂，则是基于填充有磷的氧化物。