[发明专利]光蚀刻用清洗液及使用其的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及普遍适用于使用各种不同规格(スペツク)的抗蚀剂形成的抗蚀图案，并显示优良的冲洗效果的新型光蚀刻用清洗液及使用其的半导体基体材料形成方法。

背景技术

电子部件或液晶面板部件等制造中使用的半导体基体材料，一般是通过在硅晶片上涂布光致抗蚀剂，以形成抗蚀剂膜而得到。涂布此抗蚀剂时，抗蚀剂附着在基板的边缘部分或背面部，因妨碍其后进行形成抗蚀图案，故必须预先清洗除去该不需要的抗蚀剂。

作为以该目的使用的清洗液，可以有效地溶解除去不需要的抗蚀剂，且迅速地干燥，并使用无损清洗后的抗蚀剂膜的特性的溶剂。

但是，半导体元件的制造中，使用紫外线用、i射线用、KrF用、ArF用等各种各样不同组成的抗蚀剂，另外，即使是针对相同波长的抗蚀剂，也相当地多品种化。另外，在特殊性目的下使用含硅抗蚀剂这样的特殊组成的抗蚀剂，因此，有必要按照各自的组成选择适当的清洗液，迄今提出了成分不同的多种清洗液。

作为这样的清洗液，例如，由乙二醇或其酯类溶剂构成的清洗液(JP5-75110B)、由丙二醇烷基醚乙酸酯构成的清洗液(JP4-49938B)、由3-烷氧基丙酸烷基酯构成的清洗液(JP4-42523A)、由丙酮酸烷基酯构成的清洗液(JP4-130715A)等。

另外，还已知使用2种以上溶剂的混合物的清洗液。例如使用丙二醇烷基醚、碳原子数1～7的单酮和内酰胺或内酯的混合物的清洗液(JP11-218933A)及成分i的混合重量比为x_i，用Fedors法算出的溶解度参数为δ_i时，满足9≤∑x_iδ_i≤12的n种溶剂构成的冲洗液(JP2003-114538A)等。

但是，这些冲洗液虽对特定的抗蚀剂显示良好的清洗性，但对于其他的抗蚀剂的清洗性未必良好。例如丙二醇单甲醚乙酸酯和甲乙酮的混合物对化学放大型正型光致抗蚀剂虽显示良好的结果，但对i射线抗蚀剂或含硅抗蚀剂却不显示良好的结果。另外，含有乳酸乙酯、乙酸丁酯和环己酮的混合物的冲洗液对含有感光性聚苯并噁唑前体的抗蚀剂显示良好的结果，但对i线抗蚀剂不显示良好的结果。

半导体元件制造厂商采用对各生产步骤及生产线一并供给相同清洗液的集中配管系统。在这样的使用环境下，更换各步骤或每个生产线中使用的光蚀刻用清洗液，或评价光蚀刻用清洗液对每个各生产线的清洗性能时，需要巨大的劳力和经费。

设置于半导体制造装置上的光蚀刻用清洗液的供给配管，其配管数目有限，需要如下的清洗液，全部涵盖一切用途，具体地讲，包括杯内清洗、基板边缘部清洗、基板背面部清洗、配管清洗、再作用(リワ—ク)清洗、预湿(プリウエツト)清洗等。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种光蚀刻用清洗液，其对于用于i线、KrF、ArF的各种抗蚀剂、含硅抗蚀剂，化学放大型正型光致抗蚀剂等各式各样组成的抗蚀剂显示同样良好的清洗性，处理后的干燥性好，且无因清洗损害抗蚀剂的特性。

本发明者们对光蚀刻用清洗液进行各种研究的结果，发现在对于所用抗蚀剂的亲和性较低的羧酸酯和酮的混合物中，羧酸酯的含有比例较多者显示良好的清洗性，尤其是显示端面清洗性，且此效果不受使用的抗蚀剂的组成的影响，基于此见解以至完成本发明。

即，本发明提供一种光蚀刻用清洗液，其特征在于，以(A):(B)的质量比为4:6～7:3的范围含有(A)选自乙酸或丙酸的低级烷基酯中的至少1种和(B)选自1分子中的碳数5～7的酮中的至少1种；并提供一种半导体基体材料的形成方法，其特征在于，在基板上涂布抗蚀剂，形成抗蚀膜后，喷涂上述的光蚀刻用清洗液以除去附着于基板背面部、边缘部或这两部分的不需要的抗蚀剂。

本发明的光蚀刻用清洗液包含对被处理的抗蚀剂膜的亲和性较低的羧酸酯，即(A)乙酸或丙酯的低级烷基酯，和对抗蚀剂膜亲和性较高的酮，即(B)1分子中的碳数为5～7的酮的混合物。

作为该(A)成分，包括乙酸或丙酸之类的低级羧酸的低级烷基酯，优选1分子中碳原子数的总量在5～8的范围。

作为这样的酯，可以举出，例如，乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯这样的乙酸酯、或丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸丁酯这样的丙酸酯。上述酯中的丙基、丁基、戊基可以仅为直链状，也可以是支链状。作为该(A)成分，特别优选乙酸正丁酯、乙酸异丁酯。