[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装置、有机EL显示装置及透明导电叠层基板无效

专利信息
申请号: 200580044212.9 申请日: 2005-10-21
公开(公告)号: CN101088166A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 井上一吉;松原雅人 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: H01L29/417 分类号: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法 使用 液晶 显示装置 有机 el 透明 导电 叠层基板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管的制法,其是在透明绝缘性基板上制造薄膜晶体管的方法,其特征在于,

包含在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序,

所述铝合金是下述铝合金,即含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

2.一种薄膜晶体管基板的制法,其是在透明绝缘性基板上形成薄膜晶体管,并制造薄膜晶体管基板的方法,其特征在于,

至少包含下述工序:

在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序;

覆盖所述第1电极及所述基板而形成绝缘膜的工序;

对该绝缘膜实施图案化而形成接触孔的工序;

在所述绝缘膜上形成由透明电极构成的第2电极,并经由所述接触孔直接电连接该第2电极和第1电极的工序,

所述铝合金是下述铝合金,即含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

3.一种薄膜晶体管,其设置在透明绝缘性基板上,其特征在于,

具有形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个,

所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

4.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,

至少包含:

透明绝缘性基板;

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏中的至少一个;

绝缘膜,其是形成为覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;

形成在该绝缘膜上的作为透明电极的第2电极,

所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,

所述透明电极由氧化铟、氧化锡、氧化铟锡及氧化锌中任一种构成。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,

构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1~5wt%。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,

构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1~5wt%。

8.一种液晶显示装置,其特征在于,

至少具有TFT阵列基板,所述TFT阵列基板至少包含:

透明绝缘性基板;

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏;

绝缘膜,其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;

由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极,

所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

9.一种有机EL显示装置,其特征在于,

至少具有TFT阵列基板,所述TFT阵列基板至少包含:

透明绝缘性基板;

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏;

绝缘膜,其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;

由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极,

所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

10.一种透明导电叠层基板,其特征在于,

具有:

透明绝缘性基板;

形成在所述透明绝缘性基板上的第1电极;

由形成在所述透明绝缘性基板上的透明电极构成的第2电极,

所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:

Ni;和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,

所述第1电极与所述由透明电极构成的第2电极直接电连接。

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