[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装置、有机EL显示装置及透明导电叠层基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制法，其是在透明绝缘性基板上制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，

包含在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序，

所述铝合金是下述铝合金，即含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

2.一种薄膜晶体管基板的制法，其是在透明绝缘性基板上形成薄膜晶体管，并制造薄膜晶体管基板的方法，其特征在于，

至少包含下述工序：

在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序；

覆盖所述第1电极及所述基板而形成绝缘膜的工序；

对该绝缘膜实施图案化而形成接触孔的工序；

在所述绝缘膜上形成由透明电极构成的第2电极，并经由所述接触孔直接电连接该第2电极和第1电极的工序，

所述铝合金是下述铝合金，即含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

3.一种薄膜晶体管，其设置在透明绝缘性基板上，其特征在于，

具有形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个，

所述第1电极由铝合金构成，所述铝合金含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。

4.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，

至少包含：

透明绝缘性基板；

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏中的至少一个；

绝缘膜，其是形成为覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板的绝缘膜，且设置有规定的接触孔；

形成在该绝缘膜上的作为透明电极的第2电极，

所述第1电极由铝合金构成，所述铝合金含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属，

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述透明电极由氧化铟、氧化锡、氧化铟锡及氧化锌中任一种构成。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1～5wt％。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，

构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1～5wt％。

8.一种液晶显示装置，其特征在于，

至少具有TFT阵列基板，所述TFT阵列基板至少包含：

透明绝缘性基板；

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏；

绝缘膜，其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜，且设置有规定的接触孔；

由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极，

所述第1电极由铝合金构成，所述铝合金含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属，

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

9.一种有机EL显示装置，其特征在于，

至少具有TFT阵列基板，所述TFT阵列基板至少包含：

透明绝缘性基板；

形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏；

绝缘膜，其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜，且设置有规定的接触孔；

由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极，

所述第1电极由铝合金构成，所述铝合金含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属，

所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。

10.一种透明导电叠层基板，其特征在于，

具有：

透明绝缘性基板；

形成在所述透明绝缘性基板上的第1电极；

由形成在所述透明绝缘性基板上的透明电极构成的第2电极，

所述第1电极由铝合金构成，所述铝合金含有：

Ni；和

从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属，

所述第1电极与所述由透明电极构成的第2电极直接电连接。