[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装置、有机EL显示装置及透明导电叠层基板无效
申请号: | 200580044212.9 | 申请日: | 2005-10-21 |
公开(公告)号: | CN101088166A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 井上一吉;松原雅人 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 使用 液晶 显示装置 有机 el 透明 导电 叠层基板 | ||
1.一种薄膜晶体管的制法,其是在透明绝缘性基板上制造薄膜晶体管的方法,其特征在于,
包含在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序,
所述铝合金是下述铝合金,即含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。
2.一种薄膜晶体管基板的制法,其是在透明绝缘性基板上形成薄膜晶体管,并制造薄膜晶体管基板的方法,其特征在于,
至少包含下述工序:
在所述透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个的工序;
覆盖所述第1电极及所述基板而形成绝缘膜的工序;
对该绝缘膜实施图案化而形成接触孔的工序;
在所述绝缘膜上形成由透明电极构成的第2电极,并经由所述接触孔直接电连接该第2电极和第1电极的工序,
所述铝合金是下述铝合金,即含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。
3.一种薄膜晶体管,其设置在透明绝缘性基板上,其特征在于,
具有形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的所述薄膜晶体管的栅、源及漏中的至少一个,
所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属。
4.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,
至少包含:
透明绝缘性基板;
形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏中的至少一个;
绝缘膜,其是形成为覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;
形成在该绝缘膜上的作为透明电极的第2电极,
所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,
所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,
所述透明电极由氧化铟、氧化锡、氧化铟锡及氧化锌中任一种构成。
6.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,
构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1~5wt%。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,
构成所述第1电极的铝合金中的Ni及从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的含有比率为0.1~5wt%。
8.一种液晶显示装置,其特征在于,
至少具有TFT阵列基板,所述TFT阵列基板至少包含:
透明绝缘性基板;
形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏;
绝缘膜,其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;
由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极,
所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,
所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。
9.一种有机EL显示装置,其特征在于,
至少具有TFT阵列基板,所述TFT阵列基板至少包含:
透明绝缘性基板;
形成在所述透明绝缘性基板上的作为第1电极的栅、源及漏;
绝缘膜,其是覆盖该第1电极及所述透明绝缘性基板而形成的绝缘膜,且设置有规定的接触孔;
由形成在该绝缘膜上的透明电极构成的第2电极,
所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,
所述第2电极和所述第1电极经由所述接触孔而直接电连接。
10.一种透明导电叠层基板,其特征在于,
具有:
透明绝缘性基板;
形成在所述透明绝缘性基板上的第1电极;
由形成在所述透明绝缘性基板上的透明电极构成的第2电极,
所述第1电极由铝合金构成,所述铝合金含有:
Ni;和
从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属,
所述第1电极与所述由透明电极构成的第2电极直接电连接。
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