[发明专利]用于硅电极部件蚀刻速度和蚀刻均匀性恢复的方法

权利要求书

1.一种清洁用过的电极部件的方法，该电极部件包括等离子外露硅表面，该方法包括抛光该硅表面，其中该清洁从该硅表面去除黑色硅。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在抛光之前对该硅表面进行CO₂雪喷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅表面抛光到大约为8μ-英寸或更低的表面粗糙度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在匀速流动的水中抛光所述硅表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中利用220、280、360、800和/或1350硬度金刚石抛光盘来抛光所述硅表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极部件在抛光期间以大约40-160rpm的速度旋转。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在抛光之后从所述电极部件的气体排出口和接合点内去除微粒。

7.根据权利要求7所述的方法，其中所述微粒是利用氮/除去离子的水枪来去除的。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括将该电极部件浸入除去离子的水中。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在除去离子的水中超声清洁所述电极部件。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极部件是具有气体排出口的喷头电极。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅表面与石墨支撑元件弹性接合。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述石墨支撑元件包括安装孔。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极部件包括被外电极元件围绕的内电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述外电极元件由设置成环形配置的硅片段组成。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅表面是单晶硅。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括用酸溶液清洁所述硅表面。

17.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述抛光之后检查所述电极部件，以保证该电极部件符合产品规格。

18.根据权利要求17所述的方法，其中检查所述硅表面的粗糙度。

19.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述抛光之后在等离子蚀刻室中测试所述电极部件的性能。

20.根据权利要求19所述的方法，其中测试所述电极部件的蚀刻速度和蚀刻均匀性。

21.一种按照权利要求1所述的方法清洁的电极部件。

22.一种利用权利要求1所述的经过清洁的电极部件在等离子蚀刻室中蚀刻介电材料的方法。