[发明专利]用于清洗离子注入机元件的新方法

权利要求书

1.一种用于清洗半导体制造器具的真空室、至少一个元件、或其组合的方法，所述方法包括：

(a)将蚀刻剂气体从蚀刻剂容器引入到所述真空室中；

(b)在达到所述真空室中的预定气压时，就终止所述蚀刻剂气体到所述真空室中的引入；以及

(c)使所述蚀刻剂气体与所述真空室中的残留物进行反应一段充分的时间以至少部分移除来自所述真空室内部的、至少一个包含在所述真空室内部的元件中的或其组合中的残留物；

其中，选取所述蚀刻剂气体以有选择地与所述真空室中的残留物、包含在所述真空室内部的元件中的残留物或其组合中的残留物发生反应，而基本上不与所述真空室的内部、包含在所述真空室中的元件或其组合发生反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体制造器具是离子注入机。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个元件是所述离子注入机的离子源区域元件。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个元件是所述离子注入机的束流线元件。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个元件是与所述真空室相连的、并用于对所述真空室抽气的涡轮分子泵。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂气体包括选自于由XeF₂、XeF₆、XeF₄、IF₅、IF₇、SF₆、C₂F₆和F₂所组成的组中的一种气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂气体包括XeF₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述残留物包括选自于由硼、磷、锗、钼、钨、铝和砷所组成的组中的一种元素。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定气压低于大气压。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述预定气压从约0.3Torr到约4.0Torr。

11.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述离子源区域中的离子源包括选自于由间接加热的阴极源、弗里曼源和伯尔尼源所组成的组中的一种源。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述时间是从约0.5分钟到约5分钟。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：(d)在所述反应完成之后，就抽空所述真空室。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：重复(a)到(d)至少一次。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂容器包括蚀刻剂材料，以及其中，所述蚀刻剂容器通过加热器加热以增加蚀刻剂材料向蚀刻剂气体进行物理转化的速率。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述加热器选自于由加热炉、保形加热毯、电加热带、加热液和/或气、以及加热器导线所组成的组。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，惰性气体被引入到所述蚀刻剂容器中，以将所述蚀刻气体传送到所述真空室中。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述惰性气体包括选自于由氩气、氮气、氙气和氦气所组成的组中的一种气体。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂容器位于所述真空室之中或者位于所述真空室的上游。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述蚀刻剂容器包括用于在所述真空室中生成所述蚀刻剂气体一预测数量的蚀刻剂材料。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述蚀刻剂材料是固体或液体。

22.根据权利要求20所述的方法，其中，所述蚀刻剂材料是丸状XeF₂。

23.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂气体与所述残留物的反应是在没有能量激活的情况下进行的。