[发明专利]用于确定超热电子的局部发射率分布的方法

权利要求书

1.用于利用包括至少一个检测器的光谱测定系统来确定超热电子的局部发射率分布的方法，所述超热电子来自位于环形管中的被称作等离子体的电离气环，所述检测器相对于所述环形管设置以使所述检测器的视线与所述环形管的环形横截面及半径为“a”的所述电离气环的环形横截面相交，所述电离气环的环形横截面的中心偏离于所述环形管的环形横截面的中心，其特征在于，包括以下步骤：

-计算0阶贝塞尔函数Jo的前NB个零点Z₁，Z₂，...，Z_NB，

-构建矩阵J_ρ，其k行j列的元素为Jo(ρ_k*Z_j)，其中，Jo(ρ_k*Z_j)是自变量(ρ_k*Z_j)(k＝1，2，...，NM以及j＝1，2，...，NB)的0阶函数Jo，其中，ρ_k是所述等离子体的点P_K与所述等离子体中心之间相对于半径“a”的归一化距离，所述矩阵J_ρ如下：

A_ρ＝J_ρ*C，

其中，A_ρ是数组，其元素代表沿归一化等离子体半径ρ的发射率分布，以及C是矩阵的系数，

-读取测量数据，所述测量数据包括表示沿视线通过检测器测量的等离子体积分发射率的等离子体发射率数据Y，以及包括大半径值Rp、垂直偏移值Zp、以及等离子体小半径“a”的等离子体中心坐标，

-相对于以(Rp，0，Zp)为中心的坐标系计算与所述电离气环的横截面相交的视线线段的几何位置，

-计算在所述视线线段上的NL个连续点P₁，P₂，...，P_NL的位置，P₁和P_NL是所述视线线段与所述电离气环横截面的边界相交的点，

-计算点P_i(i＝1，2，...，NL)和所述等离子体中心之间的距离r_i，并计算归一化距离ρ_i＝r_i/a，

-构建矩阵J_ρi，其i行j列的元素是Jo(ρ_i*Z_j)，其中，Jo(ρ_i*Z_j)是自变量ρ_i*Z_j(i＝1，2，...，NL以及j＝1，2，...，NB)的0阶函数Jo，所述矩阵J_ρi如下：

A_ρi＝J_ρi*C，

其中，A_ρi是表示沿归一化距离ρ_i的发射率分布的数组，以及C是所述矩阵的系数，

-计算J_ρi的每列j(j＝1，2，...，NB)的积分F_j，如下：

F_j＝δ*∑_i Jo(ρ_i* Z_j)

其中，δ是几何常数，以及i从1到NL，

-计算矩阵F，如下：

F＝[F₁ F₂...F_NB]

-计算矩阵F^-1，作为矩阵F的伪逆矩阵，

-计算矩阵M，如下：

M＝(J_ρ*F¹)/EG

其中，EG是检测器的几何延拓，

-计算所述超热电子的局部发射率分布数组A_ρ，如下：

A_ρ＝M*Y/1000。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括检验所述数组A_ρ的元素的检验步骤，所述检验步骤包括以下步骤中的至少一个：

-a)检验表示在所述电离气环的圆周上的所述局部发射率分布的数组A_ρ的元素是否不同于0，

-b)检验所述数组A_ρ中的任一元素是否为负数或者是否是超过阈值的值，

-c)检验所述数组A_ρ的局部最大数是否大于所允许的最大数。