[发明专利]柔性电子电路制品及其制造方法

权利要求书

1.一种电子电路制品，包括：

基板；

设置在基板上的等离子体淀积层，其中等离子体淀积层包括至少约10.0原子百分比的硅；以及

设置在等离子体淀积层上方的已构图导电层。

2.根据权利要求1的电子电路制品，其中等离子体淀积层包括至少约20.0原子百分比的硅。

3.根据权利要求1的电子电路制品，其中根据等离子体淀积层的总重量，等离子体淀积层还包括至少约15.0原子百分比的氧。

4.根据权利要求3的电子电路制品，其中等离子体淀积层还包括至少25.0原子百分比的氧。

5.根据权利要求1的电子电路制品，其中等离子体淀积层具有从约0.5纳米到约10.0纳米范围内的厚度。

6.根据权利要求5的电子电路制品，其中该厚度低到约1.0纳米且高到约5.0纳米。

7.根据权利要求1的电子电路制品，其中等离子体淀积层来自于气体，该气体包括至少约50.0原子百分比的有机硅化合物。

8.根据权利要求7的电子电路制品，其中有机硅化合物包括四甲基硅烷。

9.根据权利要求7的电子电路制品，其中该气体还包括氧气、氩气、氮气、氨气和氢气中的一种或多种。

10.根据权利要求1的电子电路制品，还包括设置在等离子体淀积层和已构图导电层之间的金属化连接层。

11.一种电子电路制品，包括：

聚酰亚胺基板；

设置在聚酰亚胺基板上的等离子体淀积层，其中等离子体淀积层来自于气体，该气体包括至少约50.0原子百分比的有机硅化合物；以及

设置在等离子体淀积层上方的已构图导电层。

12.根据权利要求11的电子电路制品，其中有机硅化合物包括四甲基硅烷。

13.根据权利要求11的电子电路制品，其中该气体还包括氧气、氩气、氮气、氨气和氢气中的一种或多种。

14.根据权利要求11的电子电路制品，其中等离子体淀积层具有从约0.5纳米到约10.0纳米范围内的厚度。

15.根据权利要求11的电子电路制品，其中该厚度低到约1.0纳米且高到约5.0纳米。

16.一种形成电子电路制品的方法，该方法包括：

通过等离子体淀积在基板上形成含硅层；

在含硅层上方淀积导电材料层；以及

构图导电材料层。

17.根据权利要求16的方法，其中形成含硅层包括离子化含有有机硅化合物的气体。

18.根据权利要求17的方法，其中有机硅化合物包括四甲基硅烷。

19.根据权利要求17的方法，其中根据气体的总原子，有机硅化合物包括至少约50.0原子百分比的气体。

20.根据权利要求17的方法，其中该气体还包括氧气、氩气、氮气、氨气和氢气中的一种或多种。

21.根据权利要求16的方法，其中构图导电材料层包括通过光刻蚀刻导电材料层。

22.根据权利要求16的方法，还包括在含硅层上淀积金属化连接层。

23.根据权利要求16的方法，还包括将基板曝露到等离子体中有效的曝露时间，以便提供具有从约0.5纳米到约10.0纳米范围内厚度的含硅层。

24.根据权利要求23的方法，还包括将基板曝露到等离子体中有效的曝露时间，以便提供具有从约1.0纳米到约5.0纳米范围内厚度的含硅层。