[发明专利]反熔丝单元及其制造过程

权利要求书

1.一种反熔丝单元，包括：

MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，和

至少一个电阻层轨道(24)，所述轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管，并且适于传导加热电流，以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。

2、如权利要求1的单元，其中在靠近所述MOS晶体管处，将所述电阻层轨道布置在围绕所述MOS晶体管的绝缘场区(22)上。

3、如权利要求2的单元，其中围绕所述MOS晶体管的场绝缘区比围绕相同集成电路的其它MOS晶体管的绝缘场区更宽。

4.如权利要求1的单元，其中所述轨道(24)由用于形成所述MOS晶体管的栅极(5)相同的层形成。

5.如权利要求1的单元，其中所述轨道(24)具有用于传递其中电流的端子(25，26)。

6、一种在包括标准MOS晶体管的集成电路中制造反熔丝单元的方法，该标准MOS晶体管具有包含金属硅化物层并且被绝缘场区围绕的源和漏区，其特征在于每个反熔丝单元由附加的MOS晶体管形成，并且所述方法包括以下步骤：

为所述附加的晶体管提供比所述标准MOS晶体管更宽的绝缘场区：

同时形成所述附加晶体管和所述标准MOS晶体管，

在围绕所述附加MOS晶体管周围的绝缘场区上，同时利用晶体管的栅导电层形成至少一个电阻轨道。

7.如权利要求6的方法，其中金属硅化物是硅化镍(nickelsilicide)。

8.如权利要求6的方法，其中每个MOS晶体管具有小于100nm的栅极长度。

9.如权利要求6的方法，其中每个场绝缘区具有围绕每个标准晶体管200nm的宽度，和围绕每个反熔丝单元5000nm的宽度，所述绝缘场区具有300nm的深度。

10.如权利要求6的方法，进一步包括通过把施加于集成电路运行的相同范围的电压施加到电阻轨道上，编程反熔丝单元的步骤。