[发明专利]制造锗－沸石的方法

权利要求书

1.一种合成铝-硅-锗沸石的方法，包括：

a)通过结合和混合硅源、锗源、铝源、结构导向剂和水形成反应混合物；

b)向步骤a)的反应混合物中引入不含氟的酸；

c)将步骤b)的反应混合物加热以形成沸石晶体；

d)将步骤c)的反应混合物冷却；

e)从步骤d)的反应混合物中分离沸石晶体；

f)将步骤e)的沸石晶体洗涤；

g)将步骤f)的沸石晶体干燥；和

h)将步骤g)的沸石晶体煅烧。

2.如权利要求1的方法，其中在步骤c)中反应混合物被加热到100℃到200℃范围内的温度。

3.如权利要求1的方法，其中在步骤d)中反应混合物被冷却到室温。

4.如权利要求1的方法，其中在步骤e)中通过过滤分离沸石晶体。

5.如权利要求1的方法，其中在步骤f)中洗涤是用去离子水在0℃到50℃下进行，直到滤液的pH值大约是7.5。

6.如权利要求1的方法，其中在步骤g)中沸石晶体于空气中在90℃到110℃下干燥4到24小时。

7.如权利要求1的方法，其中在步骤h)中沸石晶体于空气中在400℃到600℃下煅烧3到10小时。

8.如权利要求1的方法，其中硅源是氧化硅。

9.如权利要求8的方法，其中硅源是硅溶胶、沉淀二氧化硅或煅制二氧化硅。

10.如权利要求1的方法，其中铝源是铝酸钠、硝酸铝、硫酸铝或假勃姆石。

11.如权利要求1的方法，其中锗源是氧化锗、氯化锗、异丙醇锗或锗酸钠。

12.如权利要求1的方法，其中结构导向剂是氢氧化四正丙铵、溴化四正丙铵和氯化四正丙铵。

13.如权利要求1的方法，其中酸是硫酸、乙酸、硝酸、磷酸、盐酸或甲酸。

14.权利要求1的方法，其中沸石具有MFI、FAU、TON、MFL、VPI、MEL、AEL、AFI、MWW或MOR的结构。

15.权利要求14的方法，其中沸石具有MFI结构和硅与铝的原子比在从10∶1到200∶1的范围内。

16.权利要求15的方法，其中硅与铝的原子比在从20∶1到200∶1的范围内。

17.权利要求16的方法，其中硅与铝的原子比在从25∶1到100∶1的范围内。

18.权利要求14的方法，其中沸石具有MFI结构和氧化硅与氧化锗的摩尔比例在从100∶1到8∶1的范围内。

19.权利要求18的方法，其中氧化硅与氧化锗的摩尔比例在从50∶1到10∶1的范围内。

20.权利要求19的方法，其中氧化硅与氧化锗的摩尔比例在从25∶1到10∶1的范围内。