[发明专利]像差校正设备无效
申请号: | 200580045088.8 | 申请日: | 2005-12-19 |
公开(公告)号: | CN101091122A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | H·范桑滕;M·A·H·范德阿 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G02B3/14 | 分类号: | G02B3/14;G02B26/02;G11B7/135 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校正 设备 | ||
1.用于校正光学存储系统中的光学像差的像差校正设备(1),所述像差校正设备包括:
流体室(2),所述流体室(2)包括至少部分地透明的侧壁(3)、磁场产生元件(20)、第一流体(5)和至少一个第二流体(6),所述至少部分地透明的侧壁(3)使辐射束能够在所述流体室(2)中照射,所述磁场产生元件(20)用于至少在所述流体室(2)的区域(17)中产生磁场,所述第一流体(5)和所述至少一个第二流体(6)具有不同的折射率,
其中:所述流体室容纳所述第一流体和所述第二流体,
其中:所述第一流体和所述第二流体至少基本上不混溶且在弯月面(7)上接触,所述弯月面(7)作为用于所述辐射束的折射表面,以及
其中:所述第二流体至少部分地可由所述磁场产生元件产生的所述磁场的影响移动,以影响所述弯月面的形状。
2.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述第二流体由所述磁场产生元件(20)产生的所述磁场的影响相对于所述第一流体可至少至多在所述流体室中移动。
3.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述流体室(2)包括与所述透明侧壁(3)相对的另一个透明侧壁(4),且所述辐射束通过所述透明侧壁进入所述流体室、经过所述第一流体、所述第二流体和在所述第一流体和所述第二流体之间形成的弯月面,并通过所述另一个透明侧壁从所述流体室发射。
4.如权利要求3所述的像差校正设备,其特征在于:所述像差校正设备布置成若所述辐射束至少接近于以平行于所述流体室的轴线(11)的方向(10)进入所述流体室(2),则所述辐射束也至少接近于以平行于所述流体室的所述轴线的方向从所述流体室发射。
5.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述磁场产生元件(20)包括至少一个磁化线圈(20)。
6.如权利要求5所述的像差校正设备,其特征在于:所述磁化线圈(20)包围所述流体室(2)。
7.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述第二流体(4)是可磁化流体。
8.如权利要求7所述的像差校正设备,其特征在于:所述第二流体(4)包括在载流中的封装可磁化微粒。
9.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述第二流体(6)是磁性流体。
10.如权利要求9所述的像差校正设备,其特征在于:所述第二流体(4)包括在载流中的封装磁性微粒。
11.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:所述第一流体(5)是非磁性流体。
12.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:控制单元(23)与所述磁场产生元件(20)连接,以控制由所述磁场产生元件产生的磁场的强度,其中,将所述控制单元布置成以所述磁场的强度在至少两个不同的预定值之间转换的方式控制所述磁场产生元件。
13.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:对于所述不同的预定值中的一个而言,所述磁场至少接近于消失。
14.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:用于校正所述辐射束的散焦的聚焦透镜(31)。
15.如权利要求1所述的像差校正设备,其特征在于:壳体(9),其中,所述流体室布置在所述壳体中,且所述壳体包括至少一个凹槽(15和16),所述凹槽适于安装光学活性元件,如光栅、四分之一波板/半波板或聚焦透镜(31)。
16.用于光学数据储存的光学数据存储装置,所述光学数据存储装置包括权利要求1至15中的任何一项所述的像差校正设备。
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