[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200580045165.X | 申请日： | 2005-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101107698A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 盖尔·格伦;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，
由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能；
所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：
等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及
清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
2.一种半导体装置的制造方法，
由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；多晶硅膜，在所述高电介质膜上形成；以及SiC系膜，在所述多晶硅膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能；
所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：
第一蚀刻工序，使用被图案化的抗蚀剂作为掩膜对所述SiC系膜进行蚀刻；
第二蚀刻工序，使用所述SiC系膜作为掩膜对所述多晶硅膜进行蚀刻；
等离子处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和通过所述第二蚀刻工程露出的所述高电介质膜而进行改质；以及
清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述等离子体处理工序中使用含有O2的处理气体。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述含有O2的处理气体为包括O2和CF4的气体，
其流量比O2∶CF4为1000∶5至1000∶1。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述清洗处理工序中使用含有氢氟酸的药液。
6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，含有所述氢氟酸的药液为含有氢氟酸和乙烯乙二醇的药液。
7.一种半导体装置的制造系统，其特征在于，包括：
灰化装置，通过等离子体对半导体衬底进行改质处理；
清洗装置，对半导体衬底进行湿式清洗；以及
控制部，控制所述灰化装置和所述清洗装置，以实施权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法。
8.一种程序，其特征在于，
控制权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法。
9.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，
包括控制权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法的程序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
