[发明专利]电子器件及其形成工艺

说明书

技术领域

本发明一般涉及电子器件和用于形成电子器件的方法，尤其涉及包括有机电子元件的电子设备。

本申请要求2004年12月30日提交的临时申请No.60/640,502的优先权。

背景技术

活性有机分子日益被用在电子器件中。这些活性有机分子具有包括场致发光的电子或电辐射特性。结合有机活性材料的电子器件可被用来将电能转换成辐射，并且可包括发光二极管、发光二极管显示器或二极管激光器。结合有机活性层的电子器件也可用来：响应于辐射生成信号(例如光电检测器(例如光电导管、光敏电阻器、光控开关光电晶体管、光电管)、红外线(“IR”)检测器、生物传感器)；将辐射转换成电能(例如光伏器件或太阳能电池)；以及执行逻辑功能(例如晶体管或二极管)。

然而，难以制造包含有机活性层的电子元件。有机活性层的非一致形成通常在器件制造过程中导致较差的器件性能和较差的生产率。在液相沉积有机活性层的情况下，浸润性较差的电极会在有机活性层中导致空隙。

当液相成分是沉积到由包围结构形成的阱中时，可能会形成空隙。这些空隙减小辐射发射或辐射吸收的可用表面积，从而导致降低的性能。空隙也可能暴露出诸如电极的底层结构。当由于固化液相沉积导致而在有机层上形成附加层时，这些层可接触底层结构，从而允许电极之间的电气短接、并使得受影响的有机电子元件不起作用。

反斜面结构可用来防止空隙。然而，这种结构可在覆盖诸如阴极的底层电极时形成中断。

发明内容

在一个示例性实施例中，电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上、并限定一个开口阵列的阱结构。从横截面视图来看，阱结构在开口上具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一有机电子元件。开口阵列内的每个开口具有一宽度，并且开口阵列内的两个直接相邻开口通过其宽度比各个开口的宽度小的沟道来连接。

在另一个示例性实施例中，电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上并定义了一个开口阵列的第一结构。从横截面视图来看，开口上的第一结构具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件。两个直接相邻的开口通过沟道来连接。电子器件还包括覆盖于衬底之上并位于两个直接相邻的开口之间、且位于沟道内的第二结构。

在又一示例性实施例中，形成电子器件的工艺包括在衬底上形成阱结构的步骤。阱结构限定了一个开口阵列。从横截面视图来看，阱结构在开口上具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件。开口阵列内的每个开口具有一宽度，并且开口阵列内的两个直接相邻的开口通过其宽度比各个开口的宽度小的沟道来连接。该工艺还包括在开口内沉积有机活性层的步骤。

以上一般描述和以下详细描述仅仅是示例性的和说明性的，而非作为所附权利要求中限定的本发明的限制。

附图说明

本发明在附图中作为示例示出而非限制。

图1包括一示例性阱结构的平面图的一个示例。

图2和3分别包括在衬底上形成电极之后的衬底的一部分的平面图和横截面视图的示例。

图4和5分别包括在衬底上形成沟道结构之后的图2和3的衬底部分的平面图和横截面视图的示例。

图6包括在衬底上形成阱结构之后的图4和5的衬底部分的平面图示例。

图7和8包括在衬底上形成阱结构之后的图4和5的衬底部分的横截面视图示例。

图9和10分别包括在阱结构上形成电极之后的图7和8的衬底部分的横截面视图示例。

图11、12、13、14、15和16包括覆盖于衬底之上的一部分的示例性阱结构的平面图示例。

具体实施方式

电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上并限定了一个开口阵列的阱结构。从横截面视图来看，阱结构在开口处具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件。开口阵列内的每个开口具有一宽度，并且开口阵列内的两个直接相邻的开口通过其宽度比各个开口的宽度小的沟道来连接。

电子器件还可包括位于两个直接相邻的开口内并位于沟道内的电极，其中该电极在两个直接相邻的开口之间沿着电极提供传导路径。电极可在有机电子元件之间沿着开口阵列的矢量形成传导路径。

在一个实施例中，阵列中的每个开口都具有长度。例如，该长度基本上垂直于宽度，并且宽度不大于长度。