[发明专利]结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板有效
| 申请号： | 200580045352.8 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101094940A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 东淳生;川口祥史;国重正明 | 申请（专利权）人： | 达泰豪化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/22;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 被控 氧化镁 及其 制造 方法 以及 使用 | ||
【权利要求书】：
1.一种结晶性被控制的氧化镁单晶，其特征在于，其具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线座标位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10-3～2×10-2度，并且2θ座标的变动幅度为4×10-4～5×10-3度。
2.一种结晶性被控制的氧化镁单晶基板，其由权利要求1所述的结晶性被控制的氧化镁单晶得到。
3.一种超导装置，其在权利要求2所述的结晶性被控制的氧化镁单晶基板上，形成有由具有超导特性的物质形成的薄膜。
4.一种结晶性被控制的氧化镁单晶的制造方法，其特征在于，该方法包括如下工序：
制造氧化镁单晶，然后，
升温加热到2613K以上的温度，然后，
立刻或在该温度下保持规定时间后，以50～300K/hr的冷却速度冷却到2473K，
进而，该方法进行如下热处理，即，包括升温和冷却所需要的时间在内的保持在2613K以上的温度范围的总计时间为10800秒以下的热处理。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，前述热处理前的氧化镁单晶的制造方法为电弧电熔法。
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