[发明专利]用于以CIGS建立原位结层的热方法无效
| 申请号： | 200580045415.X | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101094726A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·塔特尔 | 申请（专利权）人： | 德斯塔尔科技公司 |
| 主分类号： | B05B7/14 | 分类号： | B05B7/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 cigs 建立 原位 方法 | ||
1.一种用于制备光电装置的方法，其包含以下步骤：
a.在衬底上提供p型CIGS半导体层；
b.在约300℃到约450℃之间的温度范围内将所述p型半导体层暴露于In+Se+Ga蒸汽持续2到4分钟，以产生n型半导体层来形成p-n结。
2.一种用于制备光电装置的方法，其包含以下步骤：
a.在衬底上提供p型CIGS半导体层；
b.将所述p型半导体层暴露于In+Se+Ga蒸汽而得到约50nm到约500nm的厚度，以产生n型半导体层来形成p-n结。
3.一种光电装置，其包含：
a.具有CIGS层的衬底；和
b.n型结，其通过在约300℃到约450℃之间的温度范围内提供In+Se+Ga持续2到4分钟而制得。
4.一种光电装置，其包含：
a.具有CIGS层的衬底；
b.和n型结，其通过提供In+Se+Ga而得到约50nm到约500nm厚度，以产生n型层来形成p-n结而制得。
5.一种光电装置，其中p型吸收体层是热形成的且接着被暴露于In+Se+Ga蒸汽持续额外的时间段，且同时将温度从第一温度下降到约300℃到450℃的范围。
6.根据权利要求3所述的装置，其中所述温度范围为约350℃到400℃。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述温度范围为约350℃到400℃。
8.根据权利要求3所述的装置，其中所述装置在所述温度范围内被暴露于In+Se+Ga蒸汽持续充分的时间，以沉积(InxGa1-x)2Se3层。
9.根据权利要求5所述的装置，其中所述装置在所述温度范围内被暴露于In+Se+Ga蒸汽持续充分的时间，以沉积(InxGa1-x)2Se3层。
10.根据权利要求3所述的装置，其中所述(InxGa1-x)2Se3层的沉积是在350℃到370℃下沉积的。
11.根据权利要求5所述的装置，其中所述(InxGa1-x)2Se3层的沉积是在350℃到370℃下沉积的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德斯塔尔科技公司，未经德斯塔尔科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580045415.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
