[发明专利]含硅感光性组合物、使用该组合物的薄膜图案的制造方法、电子机器用保护膜、栅极绝缘膜和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种含硅感光性组合物，该组合物含有：

至少一种含硅聚合物(A1)，其具有下述通式(1)表示的结构，R₁₁～R_1n中的至少之一为H，和

化合物(B)，其通过活化光线或放射线照射产生酸或碱，

[化2]

聚合物(A1)

...(式1)

(式中，R₁₁～R_1n中的至少之一为H，n为1以上的整数)。

2.权利要求1所述的含硅感光性组合物，其中，将上述含硅聚合物(A1)的重均分子量作为Mw，并将上述含硅聚合物(A1)中的取代基R₁₁～R_1n的总量作为100摩尔％时，取代基H的比例对应于重均分子量Mw在后述的图5的虚线A包围的范围内。

3.权利要求1所述的含硅感光性组合物，该组合物还包含至少一种聚合物(A2)，其用下述通式(2)表示，R₂₁～R_2n为H以外的原子或官能团，

[化3]

聚合物(A2)

...式(2)

(式中，R₂₁～R_2n为H以外的原子或官能团，n为1以上的整数)。

4.权利要求3所述的含硅感光性组合物，其中，将上述含硅聚合物(A1)和含硅聚合物(A2)的重均分子量作为Mw，将上述含硅聚合物(A1)和(A2)中的取代基R₁₁～R_1n和R₂₁～R_2n的总量作为100摩尔％时，取代基H的比例对应于重均分子量Mw为图5的虚线A所示的范围。

5.权利要求1～4中任意一项所述的含硅感光性组合物，其中，上述化合物(B)为选自盐、重氮盐以及磺酸酯中的至少1种化合物。

6.权利要求1～5中任意一项所述的含硅感光性组合物，其中，上述化合物(B)为通过照射活化光线或放射线产生碱的胺化酰亚胺化合物。

7.薄膜图案的制造方法，该方法包括以下工序：

在基板上形成包含权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物的感光性组合物层的工序，

用活化光线或放射线对形成于上述感光性组合物层的图案进行选择性曝光，形成图案状的潜像的工序，和

用显影液将形成了上述潜像的上述感光性组合物层显影，得到薄膜图案的工序。

8.一种电子机器用保护膜，其使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成。

9.一种晶体管，其包括使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜作为保护膜。

10.一种滤色器，其包括使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜作为保护膜。

11.一种有机EL元件，其包括使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜作为保护膜。

12.一种栅极绝缘膜，其用于场效应型晶体管，其包含使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜。

13.一种薄膜晶体管，其是包含：半导体层、与半导体层连接设置的源电极和漏电极、栅极、配置在栅极和半导体层之间的栅极绝缘膜的场效应型薄膜晶体管，其中，上述栅极绝缘膜由使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜构成。

14.一种薄膜晶体管，其是包含：半导体层、与半导体层连接设置的源电极和漏电极、栅极、配置在栅极和半导体层之间的栅极绝缘膜、钝化膜的场效应型薄膜晶体管，其中，上述钝化膜是使用权利要求1～6中任意一项所述的含硅感光性组合物形成的薄膜。