[发明专利]用于使用补偿阴极接触形成单掩模超突变结变容管的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

超突变结，位于半导体衬底的阳极区域中；以及至少一个补偿的阴极接触，邻近所述超突变结但与其隔离，所述至少一个补偿的阴极接触在穿通掺杂剂区域的表面处提供第一导电类型的掺杂剂区域，所述穿通掺杂剂区域与作为子集电极或阴极的下面的第一掺杂剂区域接触。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述超突变结包括上掺杂剂区域和相反导电性的下掺杂剂区域。

3.根据权利要求2的半导体结构，其中所述上掺杂剂区域包括p型掺杂剂，而所述下掺杂剂区域包括n型掺杂剂。

4.根据权利要求2的半导体结构，其中所述上掺杂剂区域包括n型掺杂剂，而所述下掺杂剂区域包括p型掺杂剂。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中两个补偿的阴极接触邻近所述超突变结。

6.根据权利要求1的半导体结构，其中所述至少一个补偿的阴极接触包括高掺杂的区域。

7.根据权利要求1的半导体结构，还包括位于所述超突变结和所述至少一个补偿的阴极接触顶部的硅化物。

8.一种半导体结构，包括：

超突变结，包括位于半导体衬底的阳极区域中的p型上掺杂剂区域和n型下掺杂剂区域；以及至少一个补偿的阴极接触，邻近所述超突变结但与其隔离，所述至少一个补偿的阴极接触在n型穿通掺杂剂区域的表面处提供n型掺杂剂区域，所述n型穿通掺杂剂区域与作为子集电极和/或阴极的下面的第一n型掺杂剂区域接触。

9.根据权利要求8的半导体结构，其中两个补偿的阴极接触邻近所述超突变结。

10.根据权利要求8的半导体结构，其中所述至少一个补偿的阴极接触包括高掺杂区域。

11.根据权利要求8的半导体结构，还包括位于所述超突变结和所述至少一个补偿的阴极接触顶部的硅化物。

12.一种形成包括超突变结的半导体结构的方法，包括以下步骤：

提供包括多个位于其中的隔离区域的半导体衬底，所述多个隔离区域限定所述半导体衬底内的阳极区域和至少一个阴极区域；

在所述至少一个阴极区域中形成穿通掺杂剂区域；

使用单注入掩模在所述半导体衬底中形成子集电极/阴极、集电极/阱区域和超突变结，所述超突变结同时位于所述阳极和阴极区域中；以及

选择性注入所述阴极区域，以将位于其中的所述超突变结转变为补偿的阴极接触。

13.根据权利要求12的方法，其中所述形成所述穿通掺杂剂区域的步骤包括形成具有暴露所述至少一个阴极区域的开口的第一注入掩模并将第一导电类型的掺杂剂注入所述暴露区域。

14.根据权利要求12的方法，其中所述形成所述子集电极/阴极、所述集电极/阱区域和所述超突变结的步骤包括通过所述单注入掩模实施各种注入。

15.根据权利要求14的方法，其中所述形成所述子集电极/阴极和所述集电极/阱区域的步骤使用单注入实施。

16.根据权利要求14的方法，其中所述形成所述超突变结的步骤包括两种不同导电类型的注入。

17.根据权利要求12的方法，其中所述选择性注入所述阴极区域的步骤在其中形成高掺杂区域。

18.根据权利要求12的方法，还包括在所述超突变结和所述补偿的阴极接触顶部形成硅化物。

19.根据权利要求18的方法，其中通过硅化工艺形成所述硅化物。

20.根据权利要求12的方法，还包括在所述衬底表面上形成至少一个CMOS器件、一个双极器件或CMOS和双极器件的组合。