[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法有效

专利信息
申请号: 200580046147.3 申请日: 2005-11-08
公开(公告)号: CN101099114A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 岩井武;岩下淳 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: G03F7/26 分类号: G03F7/26;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀剂 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(i)~(ii)的抗蚀剂图案的形成方法:

(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光,在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序,

(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;

其中,所述正型抗蚀剂组合物含有(A’)含有由(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元且由于酸的作用碱可溶性增大的树脂成分、和(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分,

所述负型抗蚀剂组合物含有(AO)至少含有氟代羟烷基和脂环式基团的树脂成分、(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分、(C)交联剂成分、以及不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂。

2.一种抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(i’)~(ii’)的抗蚀剂图案的形成方法:

(i’)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,进行显像从而在该第1抗蚀剂层上形成密图案的工序,

(ii’)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层的密图案上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,进行显像从而将所述密图案的一部分埋入的工序;

其中,所述正型抗蚀剂组合物含有(A’)含有由(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元且由于酸的作用碱可溶性增大的树脂成分、和(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分,

所述负型抗蚀剂组合物含有(AO)至少含有氟代羟烷基和脂环式基团的树脂成分、(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分、(C)交联剂成分、以及不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂。

3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,

所述有机溶剂包括醇类溶剂。

4.如权利要求3所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,

所述醇类溶剂是异丁醇和/或正丁醇。

5.如权利要求1或2所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,

所述(AO)成分是具有结构单元(a1)和结构单元(a2)的树脂成分(A),所述结构单元(a1)含有具有氟代羟烷基的脂环式基团,所述结构单元(a2)是由丙烯酸酯衍生的结构单元,含有含羟基的脂环式基团。

6.一种抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(xi)~(xii)的抗蚀剂图案的形成方法:

(xi)使用第1正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光,在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序,

(xii)使用第2正型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;

其中,所述第1正型抗蚀剂组合物和所述第2正型抗蚀剂组合物的一方或两方含有(A’)含有由丙烯酸酯衍生的结构单元且由于酸的作用碱可溶性增大的树脂成分、和(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分,

并且,作为所述第2正型抗蚀剂组合物,使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的正型抗蚀剂组合物。

7.一种抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(xi’)~(xii’)的抗蚀剂图案的形成方法:

(xi’)使用第1正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,进行显像从而在该第1抗蚀剂层上形成密图案的工序,

(xii’)使用第2正型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层的密图案上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,进行显像从而将所述密图案的一部分埋入的工序;

其中,所述第1正型抗蚀剂组合物和所述第2正型抗蚀剂组合物的一方或两方含有(A’)含有由丙烯酸酯衍生的结构单元且由于酸的作用碱可溶性增大的树脂成分、和(B)通过曝光而产生酸的酸发生剂成分,

并且,作为所述第2正型抗蚀剂组合物,使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的正型抗蚀剂组合物。

8.如权利要求6或7所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂包括醇类溶剂。

9.如权利要求6或7所述的抗蚀剂图案的形成方法,其中,

所述醇类溶剂是异丁醇和/或正丁醇。

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