[发明专利]使用多激光束的高效微机械加工设备和方法无效
申请号: | 200580046342.6 | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN101099226A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | D·R·卡特拉;B·W·伯德;R·S·哈瑞斯;D·M·海明威;H·罗;B·E·尼尔森;Y·尾峪;L·孙;Y·孙;M·A·安瑞斯 | 申请(专利权)人: | 电子科学工业公司 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 激光束 高效 微机 加工 设备 方法 | ||
相关申请
【0001】本专利申请是下列美国专利申请的继续:2004年11月29日提交的申请号是11/000,330的美国专利申请,以及于2004年11月29日提交的申请号是11/000,333的美国专利申请,后一申请是2003年6月30日提交的申请号是10/611,798的美国专利申请的继续。
技术领域
【0002】本发明涉及激光器。更具体地说,涉及一种用于增加工件加工产量的方法和设备,通过在两个或两个以上光束路径之间交替切换单个激光束,使得其中一个光束路径被用于加工一个工件,同时另一个光束路径被定位用于加工另一个工件。
背景技术
【0003】激光广泛应用于各种研究领域、开发领域以及包括监测、加工和微机械加工各种电子材料和衬底的产业化作业中。例如,为了修补动态随机存取存储器(“DRAM”),使用激光脉冲来切断导电链路以使有故障的存储器单元从DRAM器件分离,然后激活冗余的存储器单元以替代有故障的存储器单元。因为需要去除链路的故障存储器单元的位置是随机的,所以需要被切断的链路的位置也是随机的。因此,在激光链路修补过程中,激光脉冲是以随机的脉冲间隔发出的。换而言之,激光脉冲是以变化范围很大的脉冲重复率(PRF)运行的,而不是以恒定的PRF运行的。对于获得更大产品产量的工业过程来说,激光脉冲是射向目标链路的,而不用停止激光束扫描机构。这种生产技术在工业上称作“忙碌的”(on-the-fly,OTF)链路加工。其它普通激光应用采用仅当需要时在随机的时刻射出的激光脉冲。
【0004】然而,虽然激光脉冲宽度随PRF的增加而增大,但每脉冲的激光能量是典型地随着PRF的增加而减小的,这些特征对Q开关固态激光器特别适用。虽然,许多激光应用根据需要要求随机时间位移的激光脉冲,但这些应用还要求每脉冲的激光能量和脉冲宽度基本保持为恒定。对于存储器或其它IC芯片上的链路加工,激光能量不足会导致链路切断不充分,而太大的激光能量会对钝化结构或硅衬底产生不可接受的损害。激光脉冲能量的可接受范围通常称作“加工窗”。对于许多实际的IC器件,加工窗要求激光脉冲能量的变化量小于选定的脉冲能量值的5%。
【0005】为了保证操作在“加工窗口”内,或者扩大加工窗口,已经实施了各种方法。例如,已经转让给本专利申请的受让人的题目为METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING AND EMPLOYINGA HIGH DENSITY OF EXCITED IONS IN A LASANT的美国专利第5,590,141号描述了具有激射工作物质的固态激光器,该激射工作物质表现出作为增加的PRF的函数的减小的脉冲能量减少,由此表现出更高的可用PRF。因此,这种激光器在其最大的PRF下工作时,能够产生更稳定的脉冲能量等级。
【0006】也已经转让给本专利申请的受让人的题目为SYSTEM ANDMETHOD FOR SELECTIVELY LASER PROCESSING A TARGETSTRUCTURE OF ONE OR MORE MATERIALS OF AMULTIMATERIAL,MULTILAYER DEVICE的美国专利第5,265,114号描述了使用诸如1320纳米(nm)的更长的激光波长来扩大链路加工窗口,以允许在处理过程中激光脉冲能量有更大的变化。
【0007】题目为LASER PUMP CONTROL FOR OUTPUT POWERSTABILIZATION的美国专利第5,226,051号描述了通过控制泵浦二极管的电流来使激光脉冲能量相等的技术。该技术在采用低于约25KHz或30KHz的激光PRF的实际应用中很适用。
【0008】以上描述的激光加工应用通常采用具有1047nm-1324nm波长的红外(“IR”)激光器,其在不超过约25至30KHz的PRF下运行。然而,产品需求正要求有更高的产量,所以激光器应该能够在高于约25KHz(诸如50-60KHz或更高)的PRF下工作。此外,许多激光加工应用是采用紫外(UV)能量波长(一般小于约400nm)改进的。这种UV波长可以通过将IR激光器置于模拟IR激光器的二次、三次或四次谐波的谐波产生过程来生成。不幸的是,由于谐波产生的性质,这种UV激光的脉冲到脉冲能量等级对PRF和激光脉冲间隔中的时间变化特别敏感。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造