[发明专利]高度完整性保护涂层有效
申请号: | 200580046401.X | 申请日: | 2005-11-15 |
公开(公告)号: | CN101142696A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | T·W·金;严旻;C·M·A·赫勒;M·谢普肯斯;T·B·戈尔茨卡;P·A·麦康奈尔;A·G·埃尔拉特 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘冬;范赤 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高度 完整性 保护 涂层 | ||
1.一种复合物品,所述复合物品包含:
至少一个高度完整性保护涂层,所述高度完整性保护涂层包含至少一个有机-无机组合物隔离涂层和至少一个平面化层。
2.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层的厚度在约1纳米至约100微米范围。
3.权利要求2的复合物品,其中所述平面化层的厚度在约100纳米至约10微米范围。
4.权利要求3的复合物品,其中所述平面化层的厚度在约500纳米至约5微米范围。
5.权利要求1的复合物品,所述复合物品还包含基体。
6.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体显示出小于约4纳米的Ra值。
7.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体显示出小于约2纳米的Ra值。
8.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体显示出小于约0.75纳米的Ra值。
9.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述流平涂层的基体显示出小于约5.5纳米的Rp值。
10.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体于25℃和用含21%体积氧气的气体测得的透氧率小于约0.1cm3/(m2天)。
11.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体于25℃和用具有100%相对湿度的气体测得的透水蒸气率小于约1×10-2g/(m2天)。
12.权利要求5的复合物品,其中所述具有所述高度完整性保护涂层的基体在约400纳米至约700纳米之间选定波长范围的透光率大于85%。
13.权利要求5的复合物品,其中所述基体为聚碳酸酯。
14.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层包含树脂基组合物。
15.权利要求14的复合物品,其中所述平面化层包含环氧树脂基组合物。
16.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层包含丙烯酸树脂基组合物。
17.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层还包含增韧剂。
18.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层还包含UV催化剂。
19.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层还包含表面活性剂。
20.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层包含UV辐射固化组合物。
21.权利要求1的复合物品,其中所述平面化层包含热固化组合物。
22.权利要求1的复合物品,其中所述高度完整性保护涂层置于所述基体的至少一个表面上。
23.权利要求1的复合物品,其中所述高度完整性保护涂层密封所述基体。
24.权利要求1的复合物品,其中将至少一个高度完整性保护涂层置于所述复合物品中至少一种元件的至少一个表面上。
25.权利要求1的复合物品,其中至少一个高度完整性保护涂层密封所述复合物品。
26.权利要求1的复合物品,其中至少一个高度完整性保护涂层密封所述复合物品的至少一种元件。
27.权利要求1的复合物品,其中至少一种元件为光电子元件。
28.权利要求1的复合物品,其中所述光电子元件为有机元件。
29.权利要求1的复合物品,其中所述光电子元件为电致发光元件。
30.权利要求1的复合物品,其中所述光电子元件为感光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择