[发明专利]太阳能电池用光吸收层及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200580046447.1 申请日: 2005-02-03
公开(公告)号: CN101099243A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 崔寅焕 申请(专利权)人: 银太阳科技发展公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 用光 吸收 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种太阳能电池用光吸收层的制备方法,该方法包括以下步骤:

步骤1:通过金属有机化学气相沉积,由含有第III族元素B和第VI族元 素X的单独前体在基底上形成结构式为BX的化合物薄膜;

步骤2:通过金属有机化学气相沉积,将来自含有第I族金属元素A的 前体的金属供给所述结构式为BX的化合物薄膜,形成结构式为A2X的化合 物薄膜;

步骤3:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素C和第VI族 元素X的单独前体在所述结构式为A2X的化合物薄膜上形成结构式为ACX2的化合物薄膜,其中,第III族元素B的原子序数大于第III族元素C;以及

步骤4:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素B和第VI族 元素X的单独前体在所述结构式为ACX2的化合物薄膜上形成结构式为 ABX2的化合物薄膜,由此形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的多层薄膜结构。

2、根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤2中,第I族元素A的 用量大于形成结构式为A2X的化合物薄膜的最佳化学计量当量比。

3、根据权利要求1所述的方法,该方法还包括步骤5:通过金属有机化 学气相沉积将来自含有第I族元素A的前体的金属供给在步骤4中形成的第 一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的化合物薄膜,以向该薄膜补 充元素A,并且通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素B和第VI 族元素X的单独前体完全形成所述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为 ABX2的多层薄膜结构。

4、根据权利要求3所述的方法,该方法还包括步骤6:通过金属有机化 学气相沉积,使用含有第III族元素C和第VI族元素X的单独前体,在步骤5 中形成的所述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的多层薄膜结 构上形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为A(B,C)X2的多层薄膜结构。

5、根据权利要求4所述的方法,该方法还包括步骤7:通过金属有机化 学气相沉积将来自含有第I族元素A的前体的金属供给在步骤6中形成的所 述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为A(B,C)X2的多层薄膜结构,以向 该多层薄膜结构补充元素A,并且通过金属有机化学气相沉积,使用含有第 III族元素B和第VI族元素X的单独前体在该多层薄膜结构上形成结构式为 ABX2的化合物薄膜,由此形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为 A(B,C)X2,第三层结构式为ABX2的多层薄膜结构。

6、根据权利要求3-5中任意一项所述的方法,其中,在步骤2中,所 述第I族元素A以形成结构式为A2X化合物薄膜的最佳化学计量当量比来 使用。

7、根据权利要求1-5中任意一项所述的方法,其中,所述第I族元素A 为铜,所述第III族元素B为铟,所述第III族元素C为镓或铝,所述第VI族 元素X为硒。

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