[发明专利]太阳能电池用光吸收层及其制备方法无效
申请号: | 200580046447.1 | 申请日: | 2005-02-03 |
公开(公告)号: | CN101099243A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 崔寅焕 | 申请(专利权)人: | 银太阳科技发展公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 用光 吸收 及其 制备 方法 | ||
1、一种太阳能电池用光吸收层的制备方法,该方法包括以下步骤:
步骤1:通过金属有机化学气相沉积,由含有第III族元素B和第VI族元 素X的单独前体在基底上形成结构式为BX的化合物薄膜;
步骤2:通过金属有机化学气相沉积,将来自含有第I族金属元素A的 前体的金属供给所述结构式为BX的化合物薄膜,形成结构式为A2X的化合 物薄膜;
步骤3:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素C和第VI族 元素X的单独前体在所述结构式为A2X的化合物薄膜上形成结构式为ACX2的化合物薄膜,其中,第III族元素B的原子序数大于第III族元素C;以及
步骤4:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素B和第VI族 元素X的单独前体在所述结构式为ACX2的化合物薄膜上形成结构式为 ABX2的化合物薄膜,由此形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的多层薄膜结构。
2、根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤2中,第I族元素A的 用量大于形成结构式为A2X的化合物薄膜的最佳化学计量当量比。
3、根据权利要求1所述的方法,该方法还包括步骤5:通过金属有机化 学气相沉积将来自含有第I族元素A的前体的金属供给在步骤4中形成的第 一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的化合物薄膜,以向该薄膜补 充元素A,并且通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素B和第VI 族元素X的单独前体完全形成所述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为 ABX2的多层薄膜结构。
4、根据权利要求3所述的方法,该方法还包括步骤6:通过金属有机化 学气相沉积,使用含有第III族元素C和第VI族元素X的单独前体,在步骤5 中形成的所述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为ABX2的多层薄膜结 构上形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为A(B,C)X2的多层薄膜结构。
5、根据权利要求4所述的方法,该方法还包括步骤7:通过金属有机化 学气相沉积将来自含有第I族元素A的前体的金属供给在步骤6中形成的所 述第一层结构式为ACX2,第二层结构式为A(B,C)X2的多层薄膜结构,以向 该多层薄膜结构补充元素A,并且通过金属有机化学气相沉积,使用含有第 III族元素B和第VI族元素X的单独前体在该多层薄膜结构上形成结构式为 ABX2的化合物薄膜,由此形成第一层结构式为ACX2,第二层结构式为 A(B,C)X2,第三层结构式为ABX2的多层薄膜结构。
6、根据权利要求3-5中任意一项所述的方法,其中,在步骤2中,所 述第I族元素A以形成结构式为A2X化合物薄膜的最佳化学计量当量比来 使用。
7、根据权利要求1-5中任意一项所述的方法,其中,所述第I族元素A 为铜,所述第III族元素B为铟,所述第III族元素C为镓或铝,所述第VI族 元素X为硒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的