[发明专利]带有多晶硅晶粒的硅化物源极/漏极电极有效
| 申请号： | 200580046467.9 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101443901A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 马希德·M·曼苏瑞;克里斯托夫·沃斯休伯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 多晶 晶粒 硅化物源极 电极 | ||
1.一种包括用于晶体管的源极/漏极电极的半导体器件，其包括：
多个多晶硅晶粒，其位于源极/漏极区上方；
金属硅化物层，其共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒；及
硅层，其位于所述多个多晶硅晶粒与所述源极/漏极区之间；
其中所述多个多晶硅晶粒的平均直径在所述硅层的厚度的约0.6倍与约0.9倍之 间。
2.如权利要求1所述的器件，其中所述多晶硅晶粒包括具有至少约2纳米的平 均直径的半球形多晶硅晶粒(HSG)。
3.如权利要求2所述的器件，其中所述多个HSG具有所述源极/漏极区约每4nm21个HSG与所述源极/漏极区约每1625nm2 1个HSG之间的密度。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的器件，其中所述多个多晶硅晶粒进 一步包括n型或p型掺杂剂。
5.如权利要求1至3中任一权利要求所述的器件，其进一步包括所述金属硅化 物层上的金属层。
6.如权利要求1至3中任一权利要求所述的器件，其呈集成电路的形式，其包 括多个所述源极/漏极电极，且进一步包括位于所述半导体器件上方的多个绝缘层中的 一者上的互连金属线，所述互连金属线互连所述源极/漏极电极以形成可操作器件。
7.一种制造用于半导体器件的源极/漏极电极的方法，其包括：
在源极/漏极区上形成硅层；
在所述硅层上沉积种子原子；
转变所述种子原子和所述硅层以在所述源极/漏极区上方形成多个多晶硅晶粒；及
在多晶硅晶粒上沉积过渡金属层，且反应所述过渡金属层的至少一部分和所述多 晶硅晶粒以形成共形地涂覆多晶硅晶粒的金属硅化物层，
其中所述多个多晶硅晶粒的平均直径在所述硅层的厚度的约0.6倍与约0.9倍之 间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
