[发明专利]由叠置元件组成的微结构的集体性制造过程

权利要求书

1、一种用于由两个粘接在一起的叠置元件组成的结构的集体性制造的工艺，所述工艺从两个平板(10，40)开始，其中一个包含第一元件的阵列，属于所述第二平板的第二元件必须粘接至所述第一元件，所述第一平板包括由绝缘保护层保护的电子电路元件，所述工艺包含以下操作：

将所述第二平板(40)的下表面粘接至所述第一平板(10)的上表面，所述粘接是在其各自表面的主要部分上进行的，但是不粘接称为“切割路径”(ZD_n)的区域，所述“切割路径”是通过在所述第一平板上的绝缘保护层中蚀刻缺口而形成的；以及

将所述平板切割为单个结构，所述单个结构由两个叠置元件组成，包括有下平板元件和上平板元件，所述切割操作至少包括：沿着穿过切割路径(ZD_n)的第一切割线(LH_n；LH1_n)，经由所述第二平板(40)的顶部对所述第二平板(40)的元件进行切割；以及沿着穿过同一切割路径但不与所述第一切割线重叠的第二切割线(LD_n)，经由下方，对位于所述第二平板的所述元件的下方的、所述第一平板(10)的元件进行切割，从而使得所述下平板元件的、位于所述两条切割线之间的部分不被所述上平板元件覆盖。

2、如权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述切割操作包括：沿着穿过同一切割路径(ZD_n)但不与所述第一和第二切割线重叠的第三切割线(LH2_n-1)，经由所述第二平板的上表面切割所述第二平板，位于所述第一和第三切割线之间的、组成小片(R_n)的部分没有形成由切割所述平板而获得的所述双元件叠置结构的一部分。

3、如权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第二平板的切割采用宽度比所述第一平板的切割宽度大的切口执行，所述更宽的切口的一个边缘构成所述第二平板的切割线，其与所述第一平板的切割线不重叠。

4、如权利要求1至3中任意一个所述的工艺，其特征在于，所述下平板元件是集成电路芯片，并且所述下平板元件的未被所述上平板元件所遮盖的部分至少包括一个电触点(PL_n)，用于接入到在所述芯片上形成的电子电路，所述触点位于所述下平板元件的上表面上。

5、如权利要求1至3中的任意一个所述的工艺，其特征在于，所述晶片的相互之间的粘接是直接粘接，所述缺口防止局部粘附。

6、如权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述直接粘接是所述第一平板的平坦上表面与所述第二平板的平坦下表面之间的分子粘附。

7、如权利要求1至3中的任意一个所述的工艺，其特征在于，所述上平板元件是用于保护所述下平板元件的元件。

8、如权利要求1至3中的任意一个所述的工艺，其特征在于，所述上平板是透明平板。

9、如权利要求8所述的工艺，其中，所述透明平板是玻璃平板或熔融硅石平板。

10、如权利要求1至3中的任意一个所述的工艺，其特征在于，所述上平板包括单个光学元件的阵列，每个光学元件都对应于在所述下平板上形成的相应集成电路芯片。

11、如权利要求10所述的工艺，其特征在于，所述下平板元件是图像传感器或图像显示器，所述上平板元件是与所述传感器相关联的光学结构。

12、如权利要求11所述的工艺，其特征在于，包含两个叠置元件的所述结构是放射图像传感器，所述上平板元件包括纤维晶片和/或闪烁器结构，其能将X射线转换为能够被所述图像传感器检测到的光图像。

13、如权利要求1至3中的任意一个所述的工艺，其特征在于，由两个叠置元件组成的所述结构是MEMS或MOEMS类型的微型机器结构，其组合了电子功能与机械和/或光学功能。