[发明专利]铁电电容器堆叠蚀刻清洗

权利要求书

1、一种制造半导体装置中的铁电电容器结构的方法，所述方法包括：

在电介质材料上形成下部电极扩散阻挡层结构，所述下部电极至少部分地与所述电介质材料中的导电结构接合；

在所述下部电极扩散阻挡层结构上形成下部电极；

在所述下部电极上形成铁电材料；

在所述铁电材料上形成上部电极；

在所述上部电极上形成经图案化的蚀刻掩模，所述经图案化的蚀刻掩模暴露所述上部电极的一部分；

使用所述经图案化的蚀刻掩模来蚀刻所述上部电极、所述铁电材料、和所述下部电极的一些部分，以界定经图案化的铁电电容器结构；

使用所述经图案化的蚀刻掩模来蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的一部分；

使用第一灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构；

在所述第一灰化过程之后执行湿式清洗过程；及

在所述湿式清洗过程之后在约300℃或以上的温度下在氧化环境中直接使用第二灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构。

2、如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的所述部分之后并在所述经图案化的铁电电容器结构上形成上部扩散阻挡层或电介质材料之前，执行所述第一灰化过程、所述湿式清洗过程、及所述第二灰化过程。

3、如权利要求1或2所述的方法，其中在蚀刻所述上部电极、所述铁电材料、和所述下部电极的一些部分之后并在蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的所述部分之前，执行所述第一灰化过程、所述湿式清洗过程、和所述第二灰化过程。

4、如权利要求1或2所述的方法，其中在蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的所述部分之后并在所述经图案化的铁电电容器结构上形成上部扩散阻挡层或电介质材料之前，执行所述第一灰化过程、所述湿式清洗过程、和所述第二灰化过程。

5、如权利要求111所述的方法，其进一步包括：

在蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的所述部分之后执行第二湿式清洗过程；及

在所述第二湿式清洗过程之后使用第三灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构。

6、如权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在所述第二灰化过程之后在所述经图案化的铁电电容器结构上形成上部扩散阻挡层或电介质材料。

7、一种蚀刻和清洗半导体装置中的铁电电容器结构的方法，所述方法包括：

蚀刻上部电极、铁电材料和下部电极的一些部分，以界定经图案化的铁电电容器结构；

蚀刻下部电极扩散阻挡层结构的一部分；

使用第一灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构；

在所述第一灰化过程之后执行湿式清洗过程；及

在所述湿式清洗过程之后在约300℃或以上的温度下在氧化环境中使用第二灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构，在所述湿式清洗过程与所述第二灰化过程之间没有任何材料形成过程。