[发明专利]带有双膜片的微机械膜片传感器

权利要求书

1.用于制造微机械膜片传感器的方法，所述微机械膜片传感器至少具有

一个第一膜片(400)和

一个基本上位于该第一膜片上方的第二膜片(410)，以及

一个第一空腔(300)和

一个基本上位于该第一空腔(300)上方的第二空腔(310)，

其中为了制造膜片传感器，设置这些方法步骤：

在衬底(100)上产生一个第一保护层(110)，

在该第一保护层(110)中产生至少一个孔(120)直到该衬底(100)，

将一个第一膜片层(130)施加到该第一保护层(110)上，

将该第一膜片层(130)结构化，

在该第一膜片层(130)的至少一部分上产生一个第二保护层(150)，

在该第二保护层(150)中产生至少一个孔(160，165)直到该第一膜片层(130)，

将一个牺牲层(170)施加到该第二保护层(150)上，

在该牺牲层(170)的至少一部分上产生一个第三保护层(180)，

施加一个第二膜片层(210)，

在该第二膜片层(210)和该第三保护层(180)中产生至少一个孔(230)直到牺牲层(170)，

其特征在于，在一个刻蚀步骤中通过去除掉

该牺牲层(170)的、

该第一膜片层(130)的以及

该衬底(100)的

一部分来产生这两个空腔(300，310)。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，通过所述一个刻蚀步骤释放两个膜片。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，

在该衬底中在第一保护层中的孔的下方产生所述第一空腔，以及

在第一和第二膜片之间产生该第二空腔。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，

该第一膜片基本上通过该第一膜片层形成，和/或

该第二膜片基本上通过该第二膜片层形成。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二和第三保护层为该第二空腔的产生限定界限。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一和第二保护层确定该第一膜片的延伸。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，该方法至少包括下面的特征之一：

所述衬底具有半导体材料，

这些保护层中的至少一个具有氧化物，

该第一膜片层具有硅，

该牺牲层具有Si或者SiGe，

该第二膜片层具有一个金属层。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，该方法至少包括下面的特征之一：

第一膜片层外延地和/或借助LPCVD沉积来产生，

第二膜片层外延地和/或借助LPCVD沉积来产生，

该第二膜片层由多个层产生，

第一膜片层借助槽工艺被结构化，

第二膜片层借助槽工艺被结构化，

该刻蚀过程从该衬底的正面(105)进行，

该刻蚀过程借助呈SF₆、NF₃、ClF₃或者XeF₂形式的含氟化合物来进行，

该第二保护层的厚度根据在该第一膜片层中的孔的直径来选择，

该第一空腔(300)的横向的和垂直的延伸与该刻蚀步骤的刻蚀持续时间相关，

在该第二膜片层(210)中和在该第三保护层(180)中的孔(230)通过施加一个另外的层来封闭。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第一膜片被电接触，其中规定，为了形成电接触，

在该第二保护层(150)中产生一个直到第一膜片层(130)的孔(165)，以及

这样地将该牺牲层(170)结构化，使得产生一个电绝缘的区域，以及

该第三保护层很大程度地包围在该牺牲层中的该电绝缘区域，其中规定，在该第三保护层中产生一个直到该电绝缘区域的凹槽，

在所述凹槽的区域中将一个可导电的、空间上受限的层施加到该第三保护层上。

10.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述第一和第二保护层至少部分地包围所述第一膜片。

11.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述半导体材料是硅。