[发明专利]相变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在第一介电层(18)中的通路内形成选择器件(120)的第一硫族化物材料层(24)；和

在第二介电层(22)中形成的通路(26；31)内形成存储元件(130)的第二硫族化物材料层(40；40a)。

2.权利要求1的方法，包括在所述第一介电层(18)之上形成所述第二介电层(22)。

3.权利要求1或2的方法，包括在所述选择器件(120)之上并且在所述存储元件(130)之下形成加热器(30；30a)。

4.权利要求1-3任意一项的方法，包括在所述第二介电层(22)中的所述通路(31)中形成隔离物(28；28a)。

5.权利要求4的方法，包括当在所述第二介电层(22)中的所述通路(26)中形成隔离物(28)之后在左边开口中形成加热器(30)。

6.权利要求5的方法，包括在所述加热器(30)上形成电介质(34)。

7.权利要求6的方法，包括在所述电介质(34)上形成隔离物(36)。

8.权利要求7的方法，包括通过将所述间隔物(36)作为掩模来形成经过所述电介质(34)的孔径(38)。

9.权利要求8的方法，包括在所述电介质(34)上移除所述隔离物(36)。

10.权利要求8或9的方法，包括在所述电介质(34)中的所述孔径(38)中形成所述存储元件(130)的所述硫族化物材料(40)以便接触所述加热器(30)。

11.一种相变存储器，包括：

第一介电层(18)；

所述第一介电层中的通路，所述通路包括选择器件的硫族化物材料(24)；

第二介电层(22)；

在所述第二介电层中形成的通路(26；31)，所述通道包括存储元件(130)的硫族化物材料(40；40a)。

12.权利要求11的相变存储器，其中所述第二介电层(22)在所述第一介电层(18)之上。

13.权利要求12的相变存储器，包括在所述选择器件(120)之上并在所述存储元件(130)之下的加热器(30；30a)。

14.权利要求11的相变存储器，包括在所述第二介电层(22)中的所述通路(26；31)中的隔离物(28；28a)。

15.权利要求14的相变存储器，其中所述加热器(30)在所述第二介电层(22)中的所述通路(26)中的所述隔离物(28)内。

16.权利要求13-15任意一项的相变存储器，包括在所述加热器(30)上的电介质(34)。

17.权利要求16的相变存储器，包括经过所述电介质(34)的孔径(38)。

18.权利要求18的相变存储器，其中所述存储元件硫族化物材料层(40)在与所述加热器(30)接触的所述电介质(34)中的所述孔径(38)中。

19.权利要求11或12的相变存储器，包括在所述第二介电层(22)中的所述通路(31)中形成的加热器(30；30a)。

20.一种系统，包括：

处理器(510)；

与所述处理器耦合的静态随机访问存储器(560)；和

与所述处理器(510)耦合的相变存储器(530)，所述相变存储器依据的是权利要求11-19的任意一项。

21.权利要求20的系统，还包括：

与所述处理器(510)耦合的接口(540)，所述接口(540)是无线接口。