[发明专利]数模转换

权利要求书

1.一种用于输入信号(D_o)到输出信号(U_d、OUT)的数模转换的设备，包括：

电容装置(414)，耦合到开关装置(412、413)上，该开关装置(412、413)用来在时钟信号的第一相位(₁)期间把所述电容装置充电到基准电压值(V_ref)，并且用来在所述时钟信号的第二相位(₂)期间通过放电装置使所述电容装置放电，

所述放电装置(415-420)提供调节所述电容装置放电的放电路径，包括放电晶体管装置(416、417)，并且所述放电装置响应所述电容装置的放电，从而所述放电晶体管装置在所述第二相位中被偏置到用来提供近似恒定放电电流的模式，以及随后在第二相位结束之前被偏置到用来迅速放电所述电容装置的低阻抗模式；及

输出装置(421、441、612-3))，耦合到所述放电装置上，用来根据所述放电电流和所述输入信号(D_o)的函数而产生所述输出信号(U_d、OUT)。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述放电晶体管装置被偏置到用来提供所述近似恒定放电电流的饱和模式。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述放电晶体管装置的主电流路径提供所述放电路径。

4.根据权利要求1、2或3所述的设备，包括耦合到所述放电晶体管装置的栅极上的偏置装置(415、418、419)，并且其中所述电容装置上的电压确定所述晶体管装置的操作模式。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述偏置装置包括耦合到电流反射镜晶体管装置(418、419)的主电流路径上的基准电流源(415)，该电流反射镜晶体管装置(418、419)被耦合成偏置所述放电晶体管装置。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述放电晶体管装置包括第一和第二放电晶体管(416、417)，该放电晶体管(416、417)的主电流路径被串联连接。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述电流反射镜晶体管装置包括分别连接到所述第一和第二放电晶体管的栅极上的第一和第二二极管连接的晶体管(418、419)。

8.根据以上权利要求任一项所述的设备，其中所述输出装置是切换电流装置(421、441)，包括由所述输入信号D_o和其反相分别控制的第一和第二开关(424、425)，并且包括在电流反射镜配置中被耦合到所述放电晶体管装置的输出晶体管装置(422)，用来把输出电流提供给所述第一和第二开关。

9.根据权利要求8所述的设备，包括由所述输入信号D_o和其反相分别控制的、且连接到桥配置中的所述第一和第二开关上的第三和第四开关(426、427)，并且包括在电流反射镜配置中耦合到所述放电晶体管装置上的第二输出晶体管装置(433)，用来把输出电流提供给所述第三和第四开关。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述输出晶体管装置是类型彼此互补的CMOS晶体管(423、433)，并且包括用来偏置所述输出晶体管的栅极的二极管连接的晶体管(430、432)。

11.根据权利要求1至7任一项所述的设备，其中所述输出装置是D级放大器装置(612、613)。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述D级放大器装置包括用来驱动输出负载的输出装置(724-727)，并且包括用来激励所述输出装置的第一和第二基准电压(V_dd、V_ss)，其中第一和第二基准电压之差布置成控制基准电流源(611、410)，所述基准电流源控制所述放电晶体管装置。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一和第二基准电压之差施加到跨导放大器装置上用来提供基准电流(I_ref0)，所述基准电流(415)耦合到用来偏置所述放电晶体管装置的偏置装置。