[发明专利]用于减少粒子的涂层无效

专利信息
申请号: 200580048847.6 申请日: 2005-12-30
公开(公告)号: CN101133099A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 贾森·M·克伦;格利高里·D·克拉克;迈克尔·A·洛基特;理查德·M·弗林 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C08G65/00 分类号: C08G65/00;C09D171/02;G11B5/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郇春艳;郭国清
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 减少 粒子 涂层
【权利要求书】:

1.一种基底,包括在所述基底的至少一部分上的涂层,其中所述涂层包括含有含氟化合物部分和活性悬挂基团的物质的反应产物。

2.如权利要求1所述的基底,其中所述涂层包括具有如下通式结构的物质的反应产物:

(RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CX1F-(O(CFR1)a)p(O(CFR2CF2)a)q-OCFX2C(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3

其中R为甲基或乙基,R1和R2可以相同或不同,为F或CF3,X1和X2可以相同或不同,为F或CF3,其中a为1~4的整数,b为1~10的整数,p为1~145的整数,q为0~145的整数,其数均分子量为约500~约10,000。

3.如权利要求1所述的基底,其中所述涂层包括具有如下通式结构的物质的反应产物:

其中x为0~150的整数,y为0~85的整数,条件是x和y不都为0。

4.如权利要求1所述的基底,其中所述涂层包括具有如下通式结构的物质的反应产物:

(RO)3Si-(CH2)b-NHC(O)CXF(OC3F6)yO(CF2)zO(C3F6O)xCFXC(O)NH-(CH2)b-Si(OR)3

其中R可以为甲基或乙基,X为F或CF3,x和y可以相同或不同,各自为0~10的整数,条件是其中至少一个不为0,z为2~10的整数。

5.如权利要求1所述的基底,其中所述涂层包括选自具有如下通式结构的物质的反应产物:

6.如权利要求1所述的基底,其中所述活性悬挂基团选自活性硅烷、活性环氧化物、活性羧酸和活性羟基。

7.如权利要求1所述的基底,其中所述基底为硬盘驱动器组件,其包括至少一个用于在所述盘上磁存储计算机数据的、与盘表面相连的磁头。

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