[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

线路区域，其形成半导体集成电路；

监控区域，其具有2个以上的监控层，每个与构成上述半导体集成电路的2个以上的层同时被形成；

上述监控层的每个具有彼此分离配置的2个以上同一形状的监控图形。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述每个监控层都具有至少5个以上相同形状的监控图形。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，设置在上述监控区域内的所有监控图形彼此在同一个方向上延伸。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，设置在上述监控区域内的所有监控图形彼此在同一个方向上延伸。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

形成2个以上的上述监控区域；

在2个监控区域之间，上述监控图形延伸的方向不同。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在上述2个监控区域之间，上述监控图形的延伸方向彼此正交。

7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述5个以上的监控图形，彼此按照一定间距进行配置。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述5个以上的监控图形，彼此在同一个方向延伸。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

形成有2个以上的上述监控区域；

在2个监控区域之间，上述监控图形延伸的方向不同。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在上述2个监控区域之间，上述监控图形的延伸方向彼此正交。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有表示上述监控区域位置的识别标志。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

形成有2个以上的上述监控区域；

具有表示上述各个监控区域的位置的2个以上的识别标志。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

设置在上述监控区域内的所有监控图形彼此在同一个方向上延伸；

至少在2个监控区域之间，上述监控图形的延伸方向不同；

上述识别标志表示上述监控区域的位置以及上述监控图形的延伸方向。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，对应构成上述半导体集成电路的所有的层形成上述监控层。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述监控区域形成在4个角上。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，上述监控区域也形成在上述线路区域的中心部。

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将半导体基板划分成线路区域和监控区域之后，在上述线路区域内形成构成半导体集成电路的第1层，同时在上述监控区域内形成第1监控层的工序；

在上述第1层的上面或上方形成构成上述半导体集成电路的第2层，同时在上述第1监控层的上面或上方形成第2监控层的工序；

在上述第1及第2监控层的每一个上，形成彼此分离配置的2个以上相同形状的监控图形。

18.如权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在每个上述监控层上，至少形成5个以上相同形状的监控图形。

19.如权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成在上述监控区域内的所有监控图形彼此在同一个方向上延伸。

20.如权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，设置2个以上的上述监控区域，并且在2个监控区域之间，上述监控图形的延伸方向彼此正交。