[发明专利]静电电容式传感器无效

专利信息
申请号: 200580049162.3 申请日: 2005-03-18
公开(公告)号: CN101142470A 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 森本英夫 申请(专利权)人: 新田株式会社
主分类号: G01L5/16 分类号: G01L5/16;G01D5/24;G06F3/033
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 静电 电容 传感器
【权利要求书】:

1.一种静电电容式传感器,其特征在于,

具有:衬底;与所述衬底对置的检测构件;导电性构件,位于所述衬底与所述检测构件之间,与所述检测构件在与所述衬底垂直的方向进行变位相伴,能够在与其相同的方向变位,维持为绝缘状态;第一电容元件用电极,形成在所述衬底上,并且,在与所述导电性构件之间构成第一电容元件;第二电容元件用电极,形成在所述衬底上,并且,在与所述导电性构件之间构成第二电容元件;多个第一开关用电极,以与所述导电性构件隔离的方式配置并接地;多个第二开关用电极,以与所述导电性构件隔离并且与所述第一开关用电极成对的方式配置,保持为与接地电位不同的电位,

与所述检测构件进行变位相伴,所述导电性构件在朝向所述第一以及第二电容元件用电极的方向变位,并且,能够与所述多对第一以及第二开关用电极接触,

在所述导电性构件不与所述多对第一以及第二开关用电极的至少一对接触的情况下,只利用对所述第一电容元件用电极输入的信号,基于检测因所述导电性构件与所述第一电容元件用电极的间隔的变化引起的所述第一电容元件的静电电容值的变化,能够识别所述检测构件的与所述第一电容元件用电极对应的部分的变位,并且,

在所述导电性构件与所述多对第一以及第二开关用电极的全部接触的情况下,只利用对所述第二电容元件用电极输入的信号,基于检测因所述导电性构件与所述第二电容元件用电极的间隔的变化引起的所述第二电容元件的静电电容值的变化,能够识别所述检测构件的与所述第二电容元件用电极对应的部分的变位。

2.如权利要求1的静电电容式传感器,其特征在于,

所述多对第一以及第二开关用电极设置在分别与所述第一电容元件用电极以及所述第二电容元件用电极对应的位置上。

3.一种静电电容式传感器,其特征在于,

具有:规定XY平面的衬底;与所述衬底对置的检测构件;导电性构件,位于所述衬底与所述检测构件之间,与所述检测构件在与所述衬底垂直的Z轴方向进行变位相伴,能够在与其相同的方向变位,维持为绝缘状态;X轴用电极,配置在所述衬底上的X轴上,并且,在与所述导电性构件之间构成第一电容元件;Y轴用电极,配置在所述衬底上的Y轴上,并且,在与所述导电性构件之间构成第二电容元件;Z轴用电极,配置在所述衬底的原点上,并且,在与所述导电性构件之间构成第三电容元件;多个第一开关用电极,以与所述导电性构件隔离的方式配置并接地;多个第二开关用电极,以与所述导电性构件隔离并且与所述第一开关用电极成对的方式配置,保持为与接地电位不同的电位,

与所述检测构件进行变位相伴,所述导电性构件在朝向所述第一以及第二电容元件用电极的方向变位,并且,能够与所述多对第一以及第二开关用电极接触,

在所述导电性构件不与所述多对第一以及第二开关用电极的至少一对接触的情况下,只利用对所述X轴用电极输入的信号,基于检测因所述导电性构件与所述X轴用电极的间隔的变化引起的所述第一电容元件的静电电容值的变化,能够识别所述检测构件的与X轴方向对应的部分的变位,只利用对所述Y轴用电极输入的信号,基于检测因所述导电性构件与所述Y轴用电极的间隔的变化引起的所述第二电容元件的静电电容值的变化,能够识别所述检测构件的与Y轴方向对应的部分的变位,并且,

在所述导电性构件与所述多对第一以及第二开关用电极的全部接触的情况下,只利用对所述Z轴用电极输入的信号,基于检测因所述导电性构件与所述Z轴用电极的间隔的变化引起的所述第三电容元件的静电电容值的变化,能够识别所述检测构件的与Z轴方向对应的部分的变位。

4.如权利要求3的静电电容式传感器,其特征在于,

所述X轴用电极具有在X轴方向隔离并关于Y轴线对称地配置的一对电极,

所述Y轴用电极具有在Y轴方向隔离并关于X轴线对称地配置的一对电极。

5.如权利要求3或4的静电电容式传感器,其特征在于,

所述多对第一以及第二开关用电极设置在分别与所述X轴用电极以及所述Y轴用电极对应的位置。

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