[发明专利]含Mg氧化膜包覆的铁粉末有效

专利信息
申请号: 200580049193.9 申请日: 2005-11-02
公开(公告)号: CN101142044B 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 渡边宗明;中山亮治;鱼住学司 申请(专利权)人: 大冶美有限公司
主分类号: B22F1/02 分类号: B22F1/02;H01F1/24;H01F1/33;H02K1/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: mg 氧化 膜包覆 铁粉
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在铁粉末的表面上形成有至少含有(Mg,Fe)O或金属Fe极微粒子分散在坯料中的Mg-Fe-O三元系氧化物沉积膜的含Mg氧化膜包覆的铁粉末和用于制造高电阻复合软磁性材料的沉积膜包覆的铁粉末,由该含Mg氧化膜包覆的铁粉末制作的复合软磁性材料被用作需要低铁损的各种电磁路部件、例如电机、促动器、磁轭、铁心、电抗器等各种电磁部件的原料。 

另外,本发明涉及由Mg、Si、Fe以及O形成的Mg-Si-Fe-O四元系沉积氧化膜包覆在铁硅粉末的表面而成的沉积氧化膜包覆的铁硅粉末,进一步,本发明涉及由该沉积氧化膜包覆的铁硅粉末的压粉烧制体构成的复合软磁性材料,进一步,本发明涉及由所述复合软磁性材料构成的各种电磁部件的铁心,进一步,本发明涉及组装有所述铁心的电设备、尤其涉及电抗器。 

此外,本发明涉及由Mg、Si、Fe以及O形成的沉积氧化膜包覆在Fe-Si系铁基软磁性粉末的表面上而成的沉积氧化膜包覆的Fe-Si系铁基软磁性粉末及其制造方法,使用该沉积氧化膜包覆的Fe-Si系铁基软磁性粉末制作的复合软磁性材料被用作需要低铁损的如上述那样的各种电磁路部件的原料。 

此外,本发明涉及一种复合软磁性粉末,该粉末是在含Mg氧化膜包覆的铁粉末的表面上进一步包覆MgO-SiO2系复合氧化物膜(优选为以摩尔比计算MgO/SiO2的值为2的镁橄榄石)而成的,其中所述含Mg氧化膜包覆的铁粉末是由至少含有(Mg,Fe)O的Mg-Fe-O三元系氧化物沉积膜包覆在铁粉末的表面上而成的,并涉及一种使用该复合软磁性粉末制作的具有高强度、高磁通密度以及高电阻的铁损少的复合软磁性材料,并且,该具有高强度、高磁通密度以及高电阻的铁损少的复合软磁性 材料可以用作需要低铁损的各种电磁路部件、例如电机、促动器、磁轭、转子、铁心、电抗器等各种电磁部件的原料。 

另外,本发明涉及一种复合软磁性粉末,该粉末是在含Mg氧化膜包覆的铁粉末的表面上进一步包覆MgO-SiO2系复合氧化物膜(优选为以摩尔比计算MgO/SiO2的值为2的镁橄榄石)而成的,其中所述含Mg氧化膜包覆的铁粉末是由金属Fe微粒分散在坯料中的Mg-Fe-O三元系氧化物沉积膜包覆在铁粉末的表面上而成的,并且,涉及一种使用该复合软磁性粉末制作的具有高强度、高磁通密度以及高电阻的铁损少的复合软磁性材料,并且,该具有高强度、高磁通密度以及高电阻的铁损少的复合软磁性材料可以用作需要低铁损的各种电磁路部件、例如磁心、电动机铁心、发电机铁心、螺线管铁心、点火装置铁心、电抗器、变压器、扼流圈铁心、磁传感器铁心等各种电磁路部件的原料。 

背景技术

一般公知的是,各种电磁路部件中使用的软磁性材料由于要求铁损要小,所以要提高电阻、降低涡电流损失、减小顽磁力、降低磁滞损失。并且,近年,由于追求电磁路的小型化、高响应化,所以磁通密度更高的材料也受到重视。 

作为用于制造具有所述高电阻率的软磁性材料的原料粉末的一例,公知的是在铁粉末的表面包覆了具有绝缘性的含Mg铁氧体(公知有(MgFe) 3O4,具有尖晶石型结晶结构)膜的含Mg氧化膜包覆的铁粉末(参考专利文献1)。 

此外,作为其他的一例公知有在铁硅粉末的表面包覆了含Mg化成处理膜的化成处理膜包覆的铁硅粉末(参考专利文献2)。 

进而,作为其他的一例,公知有含有Si:0.1~10质量%,其余由Fe以及不可避免的杂质构成的Fe-Si系铁基软磁性粉末,进而还公知有在该Fe-Si系铁基软磁性粉末的表面包覆了高电阻物质的软磁性粉末。还公知一种制造复合软磁性材料的方法,在其表面形成了高电阻物质的软磁性粉末被压缩成形,对得到的压粉体进行烧结,得到具有在软磁性例子间夹有高电阻物质的组织而具有高电阻率的复合软磁性材料(参考专利文献3)。 

还公知一种制造压粉磁性材料等的方法,将通过化学方法包覆了含Mg铁氧体膜的含Mg氧化铁膜包覆的铁粉末与低熔点玻璃粉末一起混合,制作混合粉末,再对该混合粉末进行压缩成形并进行热处理,制造压粉磁性材料(参考专利文献4或5)。 

专利文献1:JP特开平11-1702号公报 

专利文献2:JP特开2003-142310号公报 

专利文献3:JP特开平5-258934号公报 

专利文献4:JP特开2004-253787号公报 

专利文献5:JP特开2004-297036号公报 

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