[发明专利]挠性软X射线离子发生器

权利要求书

1.一种软X射线离子发生器，包含有：

一头部单元，产生波长1.2～1.5的软X射线；

一软X射线保护单元，屏蔽来自该头部单元的软X射线的渗漏；以及

一电源控制单元，为该头部单元提供控制信号及控制电压，所述离子发生器包含：

一挠性管，保护与该头部单元连接的高压电缆及该电源控制单元免受来自外部的冲击或震动，及使用者可在必要时，在任意角度朝向本体带电体弯曲该头部单元的头部；

一第一连接装置，通过连接该挠性管的一端与该头部单元，令置于离子发生器本体内部窗口所生成的离子向该带电体释放；以及

一第二连接装置，连接该挠性管的另一端和该离子发生器本体；

其中，该头部单元被置于该软X射线保护单元的外面。

2.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述头部单元包括：

一接地环，负责头部单元的接地；

一头帽，保护该头部；

一软X射线管，传送该软X射线；

一硅模塑，避免该软X射线的渗漏并在高压线涂层；

一硅管，引导该硅模塑并强化绝缘；

多体电缆，应用于高电压；

一电导管，用于保护该电缆；以及

一头部本体，包裹该头部。

3.如权利要求1或2所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，该挠性管内的高压电缆被模塑起来，以避免在相邻近的高压电缆之间发生短路及产生交互感应电压；所述短路及交互感应电压是由该高压电缆的相互影响所引起的。

4.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述挠性管包括：

一提供高压电缆通过的高压封装；以及

一导管，所述软X射线从该导管释放并自该高压封装隔离出来，以便安装及设置。

5.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述挠性管的长度小于3米。

6.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述生成的离子在1秒后能够达到600mm±50mm，2秒后可达900±50mm，3秒后可达1000mm±50mm，而到达半径在1秒后可达400mm±50mm，2秒后达700mm±50mm，3秒后达780mm±50mm。

7.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述离子发生器在电离时，包含粉尘的微粒很少在电极生成。

8.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述离子发生器的窗口为铍，而该离子发生器的目标为钨；通过对该电子管内部的阴极加热而使冲出的电子与该目标碰撞后，使得该软X射线通过该头部单元本体且朝向该带电体从该窗口释放出来，则气体的原子或分子直接被软X射线电离，且同时反向电压被施加在阴极而前向电压被施加在该目标上。

9.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述软X射线保护单元是由铜、铝、玻璃、氯乙烯、压克力其中之一制成，用来屏蔽该软X射线以减少其对人体的冲击。

10.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，当所述电压为1kV～100V时，在200mm距离的延迟时间为0.4秒，在400mm距离的延迟时间为1秒，在600mm距离的延迟时间为1.8秒，在800mm距离的延迟时间为3.6秒，在900mm距离的延迟时间为4.8秒，1000mm的延迟时间为5.8秒。

11.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述离子发生器在空气中的吸收率，在距离为10cm时为0％，30cm时为93％，50cm时为96％，60～100cm时为100％。

12.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述离子发生器应用在曝光、HPCP、磨擦及PI涂覆工艺，包括TFT-LCD，STN-LCD，OLED，LTPS，HTPS，PDP的平面面板显示器加工过程，印刷电路板制造过程，粉末涂覆过程，圆形点电离不可缺少的半导体加工，等级为10～1000的清洁环境过程，涂覆塑胶表面及印刷过程，及纳米技术产业中。

13.如权利要求1所述的挠性软X射线离子发生器，其特征在于，所述离子发生器的残余电位在±5伏特内。