[发明专利]电子元件、存储装置及半导体集成电路

权利要求书

1.一种电子元件，其中：

包括：第一电极，

第二电极，以及

层，连接在所述第一电极与所述第二电极之间，并且具有二极管特性和可变电阻特性；

所述层，在从所述第一电极及所述第二电极中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流；

所述层在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极与所述第二电极之间的规定脉冲电压而增加或减少。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其中：

所述第一电极的功函数，与所述第二电极的功函数不同。

3.根据权利要求2所述的电子元件，其中：

所述第一电极的功函数，小于所述第二电极的功函数；

所述层，具有将从所述第一电极向所述第二电极延伸的方向设为所述正方向的二极管特性。

4.根据权利要求2所述的电子元件，其中：

所述第一电极的功函数，大于所述第二电极的功函数；

所述层具有将从所述第二电极向所述第一电极延伸的方向设为所述正方向的二极管特性。

5.根据权利要求3所述的电子元件，其中：

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加。

6.根据权利要求4所述的电子元件，其中：

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加。

7.根据权利要求3所述的电子元件，其中：

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少。

8.根据权利要求4所述的电子元件，其中：

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少。

9.根据权利要求1所述的电子元件，其中：

所述层的结晶性不均匀。

10.根据权利要求9所述的电子元件，其中：

所述结晶性上的均匀性，是沿所述反方向减少下去的；

所述正方向，从所述第一电极向所述第二电极延伸。

11.根据权利要求10所述的电子元件，其中：

正初始化电压，从所述第一电极被施加在所述第二电极上；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加。

12.根据权利要求10所述的电子元件，其中：

负初始化电压，从所述第一电极被施加在所述第二电极上；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为正极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值增加；

在以所述第一电极相对所述第二电极成为负极的方式在所述第一电极与所述第二电极之间施加脉冲电压时，所述层在所述正方向上的电阻值减少。

13.根据权利要求1所述的电子元件，其中：

通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加规定的脉冲电压，使所述正方向上的电阻值变化，来让所述电子元件储存一位或多位信息。