[发明专利]氧活化材料、燃烧效率改良材料、植物生长促进材料、嗜氧微生物活化材料、动物生长促进及活化材料、肌肉软化材料、除锈及防锈材料以及氧气活化的方法有效
申请号: | 200580049574.7 | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN101166842A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 坂仓康郎 | 申请(专利权)人: | 坂仓康郎 |
主分类号: | C22C38/00 | 分类号: | C22C38/00;C22C38/02;F02M27/02;A01N59/00;A01N3/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 活化 材料 燃烧 效率 改良 植物 生长 促进 微生物 动物 肌肉 软化 除锈 防锈 以及 氧气 | ||
技术领域
本发明是关于:用于活化氧气以改良氧气反应性的氧活化材料;用于改良例如为汽油燃料的燃烧效率的燃烧效率改良材料;用于促进植物生长的植物生长促进材料;用于活化或滋生嗜氧微生物的嗜氧微生物活化材料;用于促进动物生长且活化动物运动的动物生长促进与活化材料;用于放松肌肉以使其柔软的肌肉软化材料;用于除锈且防止生锈发生的除锈与防锈材料;以及用于活化氧气的氧气活化方法。
背景技术
为铁与硅合金的硅铁已广泛地采用于技艺中以在例如为马达铁核心与磁性遮蔽材料(JP-A8-275413和6-37479)的各种不同用途上作为软磁金属性材料。它还使用于制钢工业上以作为脱氧剂。例如为锗与硒的其它各种不同于硅的半导体也可与铁一起形成合金。
发明内容
例如为硅铁的含铁与半导体成分的合金具有仍未被阐明的性质且可能可应用于各种不同的用途上。因此,本发明的目的是去发现例如为硅铁的铁-半导体合金的新用途。
本发明人已热切地重复研究以达成上述目的,且结果发现含铁与半导体成分的铁-半导体合金具有活化氧气以改良其反应性的性质。因此,本发明提供一种氧活化材料、氧活化剂、或氧活化组成物,其包括作为主要组成要素的含铁与半导体成分的铁-半导体合金。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此可改良在例如为引擎的以燃烧为基础的动力或例如为锅炉的以燃烧为基础的热产生器中的燃烧效率。因此,本发明提供一种燃烧效率改良材料、燃烧效率改良剂、或燃烧效率改良组成物;其含有上述的氧活化材料或其同类。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此促进植物的生长。因此,本发明提供一种植物生长促进材料、植物生长促进剂、或植物生长促进组成物,其含有上述的氧活化材料或其同类。可经由根据本发明的植物生长促进材料以促进其生长的植物包括树叶植物、蔬菜、水果或其同类。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此活化嗜氧微生物。因此,本发明提供一种嗜氧微生物活化材料、嗜氧微生物活化剂、或嗜氧微生物活化组成物,其含有上述的氧活化材料或其同类。根据本发明的嗜氧微生物活化材料能够活化嗜氧微生物的活性、滋生嗜氧微生物、或活化且滋生嗜氧微生物。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此可促进动物的生长且活化动物的运动。因此,本发明提供一种动物生长促进与活化材料、动物生长促进与活化剂、或动物生长促进与活化组成物,其含有上述的氧活化材料等。根据本发明的动物生长促进与活化材料能够促进动物的生长、加速或活化动物的运动、或促进生长且活化运动。经由根据本发明的动物生长促进与活化材料以促进生长的动物包括哺乳动物、鱼与鸟类。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此软化肌肉。因此,本发明提供一种肌肉软化材料、肌肉软化剂、或肌肉软化组成物,其含有上述的氧活化材料或其同类。根据本发明的肌肉软化材料能够改良血液循环以舒缓肩膀的僵硬、减轻腰部的紧张且舒缓肌肉的痛苦。
根据本发明的氧活化材料能够活化氧气,且因此可除锈且防止生锈的发生。因此,本发明提供一种除锈与防锈材料、除锈与防锈剂、或除锈与防锈组成物,其含有上述的氧活化材料或其同类。根据本发明的除锈与防锈材料能够除锈且防止生锈的发生。
根据本发明,例如为硅铁的铁-半导体合金可如上所述被发现用于氧气活化、燃烧效率改良、植物生长促进、嗜氧微生物活化、动物生长促进、动物活化、肌肉软化、除锈与防锈上的新用途。
具体实施方式
在根据本发明的氧活化材料或其同类中,半导体可以包括例如为硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)与碲(Te)的元素半导体。其也可以包括例如为GaAs、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、AlGaAs、GaInAs、AlInAs与AlGaInAs的化合物半导体。其也可进一步包括例如为SnO2、ZnO、Fe2O3、V2O5、TiO2、NiO、Cr2O3、Cu2O、MnO2与MnO的氧化物半导体。硅是最佳的。
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