[发明专利]制备氢氯硅烷的方法

权利要求书

1.一种用于制备一种或多种氢氯硅烷的方法，包括：使氢气、氯源以及硅粒子进行反应；所述硅粒子上已经通过化学汽相沉积法沉积了氢氯化反应促进剂金属，所述化学汽相沉积法包括：从所述硅粒子表面除去氧，还原包括所述氢氯化反应促进剂金属的可还原物质，并将氢氯化反应促进剂材料沉积到其中氧已经被除去的所述硅粒子上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应是在275℃～550℃的温度下进行的。

3.根据权利要求1所述的制备氢氯硅烷的方法，所述氢氯硅烷包括三氯甲硅烷和二氯甲硅烷，其中：

所述氯源是四氯化硅；以及

所述促进剂金属是在四氯化硅和氢气存在下能够促进氢氯化反应的金属。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述反应是在400℃～500℃的温度下进行的。

5.根据权利要求1所述的制备氢氯硅烷的方法，所述氢氯硅烷包括三氯甲硅烷和二氯甲硅烷，其中：

所述氯源是氯化氢；以及

所述促进剂金属是在氢气存在下能够促进硅的氢氯化反应的金属。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述反应是在275℃～350℃的温度下进行的。

7.一种用于制备一种或多种氢氯硅烷的方法，包括：

在还原性气氛中，通过加热具有表面氧化物的硅粒子，从所述硅粒子的至少一部分表面除去氧，以制备具有至少一个不含氧化物的区域的硅粒子；

用化学汽相沉积法将能够促进硅的氢氯化反应的金属沉积到所述不含氧化物的区域上，以制备促进剂金属-硅表面合金，所述的化学汽相沉积法包括还原含有所述金属的可还原物质；以及

使氢气、氯源和掺杂促进剂金属的硅进行反应，以制备一种或多种氢氯硅烷。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述除去、沉积和反应是在275℃～550℃的温度下进行的。

9.根据权利要求7所述的制备氢氯硅烷的方法，所述氢氯硅烷包括三氯甲硅烷和二氯甲硅烷，其中：

所述氯源是四氯化硅；以及

所述促进剂金属是在四氯化硅和氢气存在下能够促进硅的氢氯化反应的金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述除去、沉积和反应是在400℃～500℃的温度下进行的。

11.根据权利要求7所述的制备氢氯硅烷的方法，其中所述氢氯硅烷包括三氯甲硅烷和二氯甲硅烷，其中：

所述氯源是氯化氢；以及

所述促进剂金属是在氢气存在下能够促进硅的氢氯化反应的金属。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述除去、沉积和反应是在275℃～350℃的温度下进行的。

13.一种用于制备一种或多种氢氯硅烷的方法，包括：

将氢气、氯源和具有表面氧化物的硅合并；

将所述氢气、氯源和硅加热到足够高的温度，从而将氧从硅表面的至少一个区域除去；

将具有不含氧化物区域的硅与可还原物质接触，所述可还原物质包括能够促进所述硅的氢氯化反应的金属；

将所述可还原物质加热到足够的温度，使得该物质被还原，并将所述金属沉积到所述不含氧化物的区域，以制备促进剂金属-硅表面合金；以及

使所述氢气、氯源和掺杂促进剂金属的硅进行反应，以制备一种或多种氢氯硅烷。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述的加热温度要达到275℃～550℃，所述的反应是在275℃～550℃的温度下进行的。

15.根据权利要求13所述的制备氢氯硅烷的方法，所述氢氯硅烷包括三氯甲硅烷和二氯甲硅烷，其中：

所述氯源是四氯化硅；以及

所述促进剂金属是在四氯化硅和氢气存在下能够促进硅的氢氯化反应的金属。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述的加热温度要达到400℃～500℃，所述的反应是在400℃～500℃的温度下进行的。