[发明专利]非水电解液二次电池的制造方法

权利要求书

1.一种非水电解液二次电池的制造方法，该方法是使隔膜介于包含硅类材料的部件和正极之间，并且使金属锂层介于隔膜和所述部件之间，在该状态下进行规定时间的老化，使锂嵌入硅类材料中。

2.如权利要求1所述的非水电解液二次电池的制造方法，其中，进行嵌入使硅类材料中的锂量相对于硅的初期充电理论容量为5～50％。

3.如权利要求1所述的非水电解液二次电池的制造方法，其中，正极具有含锂的正极活性物质，并进行锂的嵌入使满足下式(1)，

4.4A-B≥C    (1)

式中，A表示包含硅类材料的部件中的硅的摩尔数，B表示含锂的正极活性物质中的锂的摩尔数，C表示被嵌入的锂的摩尔数。

4.如权利要求1所述的非水电解液二次电池的制造方法，其中，在10～80℃的状态下进行老化。

5.如权利要求1所述的非水电解液二次电池的制造方法，其中，进行老化直至金属锂层被完全嵌入。

6.如权利要求1所述的非水电解液二次电池的制造方法，其中，硅类材料为粒子状，在该粒子之间的空隙中浸透有锂化合物形成能力低的金属材料。