[发明专利]雪崩光电二极管有效
申请号: | 200580049811.X | 申请日: | 2005-05-18 |
公开(公告)号: | CN101180740A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 柳生荣治;石村荣太郎;中路雅晴 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雪崩 光电二极管 | ||
1.一种雪崩光电二极管,其特征在于,具备:
第一电极;
具备与它电连接的由第一导电类型构成的第一半导体层的衬底;
其中,在所述衬底上至少层叠雪崩倍增层、光吸收层、禁带宽度比所述光吸收层更大的由第二导电类型构成的第二半导体层,通过在所述第二半导体层上形成的沟,分离为内部区域和外部区域,所述内部区域与第二电极电连接。
2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
在光吸收层和第二半导体层之间具备禁带宽度比所述光吸收层更大的第三半导体层,留下所述第三半导体层而形成沟。
3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
在外部区域,设置外壕沟以包围内部区域和沟,通过所述外壕沟,至少除去光吸收层并形成侧面。
4.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
外壕沟到达衬底的劈开面。
5.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
外壕沟和沟是连续形成的。
6.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
内部区域中的第二半导体层由多个层构成,所述多个层的宽度在衬底一侧大。
7.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
内部区域中的第二半导体层由多个层构成,所述多个层的迁移率在衬底一侧低。
8.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管,其特征在于:
光入射部为衬底的表面的表面入射型、衬底的背面的背面入射型、由沟或外壕沟形成的侧壁的侧面入射型中的任一个。
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