[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：

包括

存储单元阵列，包括在第一方向延伸的多条字线、在与上述多条字线交叉的第二方向延伸的多条位线、以及配置在上述多条字线和多条位线的交点的多个存储单元；

多个字驱动电路，连接在上述多条字线上；

多个读出电路和多个写入电路，连接在上述多条位线上，

上述多个存储单元分别具有

第一节点，连接在上述多条字线中对应的一条上；

第二节点，连接在上述多条位线中对应的一条上；

第三节点，与上述第二节点对应设置；

存储元件，通过置位动作而形成结晶状态，通过复位动作而形成非晶状态；

开关元件，接受上述第一节点的控制，形成从上述第二节点经过上述存储元件到达上述第三节点的电流路径，

在上述置位动作时，首先对上述存储元件输入第一脉冲，然后连续输入第二脉冲，使上述第二脉冲的大小根据外部的温度而变化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述复位动作时输入第三脉冲，

上述第三脉冲的大小为不依存于外部的温度的恒定值。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一脉冲和第二脉冲是电压脉冲，

上述第二脉冲的电压值小于上述第一脉冲的电压值，外部的温度越高则电压值越小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一脉冲和上述第二脉冲是电流脉冲，

上述第二脉冲的电流值小于上述第一脉冲的电流值，外部的温度越高则电流值越小。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一脉冲和上述第三脉冲相同。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

具有产生上述第二脉冲的电压值的电源电路，

上述电源电路利用MOS晶体管的温度特性生成依存于温度的电压值。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

上述电源电路包括

利用MOS晶体管的截止电流的温度特性生成依存于温度的电流的电路；以及

对漏极电流-栅极电压特性的斜率各不相同的2种MOS晶体管供给上述生成的电流，并抽取各MOS晶体管中产生的栅极电压的差值的电路。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

上述电源电路配置在与上述存储单元阵列接近的位置中的温度比较低的位置。

9.一种半导体器件，其特征在于：

包括

存储单元阵列，包括在第一方向延伸的多条字线、在与上述多条字线交叉的第二方向延伸的多条位线、以及配置在上述多条字线和多条位线的交点的多个存储单元；

多个字驱动电路，连接在上述多条字线上；

多个读出电路和多个写入电路，连接在上述多条位线上，

上述多个存储单元分别具有

第一节点，连接在上述多条字线中对应的一条上；

第二节点，连接在上述多条位线中对应的一条上；

第三节点，与上述第二节点对应设置；

存储元件，通过置位动作而形成结晶状态，通过复位动作而形成非晶状态；以及

开关元件，接受上述第一节点的控制，形成从上述第二节点经过上述存储元件到达上述第三节点的电流路径，

在上述置位动作时，首先对上述存储元件输入第一脉冲，然后使上述第一脉冲渐渐下降，

温度越高，使上述第一脉冲渐渐下降时的速度越快。