[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

多个实际工作电容器，排列形成在半导体衬底上的第一区域，并具有第一下部电极、第一铁电膜以及第一上部电极，其中，该第一铁电膜形成在上述第一下部电极上，该第一上部电极形成在上述第一铁电膜上；

多个虚设电容器，排列形成在设置于上述半导体衬底上的上述第一区域外侧的第二区域，并具有第二下部电极、第二铁电膜以及第二上部电极，其中，该第二铁电膜形成在上述第二下部电极上，该第二上部电极形成在上述第二铁电膜上；

多个第一布线，分别形成在上述多个实际工作电容器上，并分别连接至上述多个实际工作电容器的上述第一上部电极；

多个第二布线，分别形成在上述多个虚设电容器上，而且

上述虚设电容器的间距对上述实际工作电容器的间距之比在0.9～1.1的范围内；

上述第二布线的间距对上述第一布线的间距之比在0.9～1.1的范围内。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述第二区域设置在上述第一区域的周围。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述第一下部电极和上述第二下部电极由同一个导电膜构成。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，相互独立地形成有上述第一下部电极和上述第二下部电极。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，在除了存储单元区域以外的区域上，也形成有上述虚设电容器。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述虚设电容器的面积对上述实际工作电容器的面积之比在0.9～1.1的范围内。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述虚设电容器的平面形状与上述实际工作电容器的平面形状相同。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，排列在第一方向上的上述虚设电容器的平面形状的重心位于以下位置，该位置从通过上述实际工作电容器的平面形状重心的上述第一方向的直线起向垂直于上述第一方向的上述第二方向偏离上述实际工作电容器在上述第二方向的宽度的10％以下的距离。

9.如权利要求1～8中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述第二布线的面积对上述第一布线的面积之比在0.9～1.1的范围内。

10.如权利要求1～9中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述第二布线的平面形状与上述第一布线的平面形状相同。

11.如权利要求1～10中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，排列在第三方向上的上述第二布线的平面形状的重心位于以下位置，该位置从通过上述第一布线的平面形状重心的上述第三方向的直线起向垂直于上述第三方向的上述第四方向偏离上述第一布线在上述第四方向的宽度的10％以下的距离。

12.如权利要求1～11中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，还具有多个第一插件部，该多个第一插件部分别形成在上述多个实际工作电容器的上述第一上部电极和上述多个第一布线之间，并分别连接上述第一上部电极和上述第一布线。

13.如权利要求1～12中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，还具有多个第二插件部，该多个第二插件部分别形成在上述多个虚设电容器的上述第二上部电极和上述多个第二布线之间，并分别连接上述第二上部电极和上述第二布线。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，上述第二插件部的面积对上述第一插件部的面积之比在0.9～1.1的范围内。

15.如权利要求13或14所述的半导体器件，其特征在于，上述第二插件部的平面形状与上述第一插件部的平面形状相同。

16.如权利要求13～15中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，排列在第五方向上的上述第二插件部的平面形状的重心位于以下位置，该位置从通过上述第一插件部的平面形状重心的上述第五方向的直线起向垂直于上述第五方向的上述第六方向偏离上述第一插件部在上述第六方向的宽度的10％以下的距离。