[发明专利]半导体器件及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一电流电压转换电路，连接于非易失性存储器单元阵列内设置的核心单元；

第二电流电压转换电路，以参考单元数据线连接参考单元；

感测放大器，感测所述第一电流电压转换电路的输出与所述第二电流电压转换电路的输出；

比较电路，比较所述参考单元数据线的电压值与既定电压值；以及

充电电路，在所述参考单元数据线的预充电时，当所述参考单元数据线的电压值比所述既定电压值还低时，对所述参考单元数据线进行充电。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述充电电路包含有：栅极连接至所述比较电路的输出且源极及漏极分别连接至电源及所述参考单元数据线的FET。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电流电压转换电路具有输入有所述参考单元数据线的电压值与所述既定电压值的差动电路；

所述比较电路具有：栅极连接至所述差动电路的输出且源极及漏极分别连接至电源及输出节点的FET、以及栅极连接至所述差动电路的电流源FET栅极输入且源极及漏极分别连接至所述输出节点及接地的FET；

所述比较电路的输出端子连接至所述输出节点。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述既定电压值比对所述参考单元数据线进行预充电时的目标电压值还低。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电流电压转换电路具有将多个参考单元的输出予以平均的平均电路，且所述第二电流电压转换电路将所述平均电路的输出予以输出。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电流电压转换电路输出至所述第一电流电压转换电路及所述感测放大器；

所述第一电流电压转换电路将所述核心单元的输出与所述第二电流电压转换电路的输出进行差动放大，并输出至所述感测放大器。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述平均电路具有用以输出至所述第一电流电压转换电路的第一平均电路、以及用以输出至所述感测放大器的第二平均电路。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，具备在所述参考单元数据线的预充电结束后，使所述感测放大器开始进行感测的感测控制电路。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述感测控制电路通过将所述第一电流电压转换电路的输出予以导通而使所述感测放大器开始进行感测。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述感测控制电路包含有：连接于所述第一电流电压转换电路的输出与电源间的FET。

11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述非易失性存储器单元阵列具有SONOS型单元。

12.如权利要求1至11项中任一项的半导体器件，其特征在于，所述核心单元为能够存储多个位的单元。

13.一种半导体器件的控制方法，所述半导体器件具备有：

第一电流电压转换电路，连接于非易失性存储器单元阵列内设置的核心单元；

第二电流电压转换电路，以参考单元数据线连接参考单元；以及

感测放大器，感测所述第一电流电压转换电路的输出与所述第二电流电压转换电路的输出；

半导体器件的控制方法特征在于，具有：

比较所述参考单元数据线的电压值与既定电压值的步骤；以及

在所述参考单元数据线的预充电时，当所述参考单元数据线的电压值比所述既定电压值还低时，对所述参考单元数据线进行充电的步骤。

14.如权利要求13所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，具有将多个参考单元的输出予以平均的步骤，且所述第二电流电压转换电路的输出为所述已平均后的输出。

15.如权利要求13所述的半导体器件的控制方法，其特征在于，具有在所述参考单元数据线的电压值稳定后，再开始进行感测的步骤。