[发明专利]真空蒸镀用校准装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空蒸镀用校准装置。

背景技术

以前，当制造半导体基片等时，在真空容器内使半导体材料蒸发，同时，蒸镀到基片表面，形成预定的导体图形。

在形成该导体图形的场合，通常在基片的表面配置形成有导体图形的掩模，对涂覆于其表面的光刻胶进行曝光，从而形成导体图形(例如参照日本特开平5-159997号公报)。

发明内容

发明要解决的问题

可是，在真空容器内，需要相对掩模将基片配置于预定位置，设有用于进行该对位的校准装置。

虽然该校准装置配置于真空容器内，但在将对位精度高的校准装置配置于真空容器内的场合，需要使用由气体放出少的特种材料构成的部件和润滑剂，同时，需要散热对策等，所以，装置本身非常昂贵。

另一方面，为了避免这样的事态，可考虑将校准装置配置于真空容器的外部。

在将校准装置配置于真空容器的外部的场合，需要校准装置的基片保持构件在真空容器内的插入部分的真空维持机构，因此，需要特殊的密封机构或加工，装置仍然昂贵。

另外，对于基片保持构件在真空容器内的插入部分，有可能由真空力，换言之，接受大气压的大外力，产生应变，导致对位精度下降。

因此，为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种装置自身的制造成本廉价而且可维持高精度的对位的真空蒸镀用校准装置。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明的真空蒸镀用校准装置对掩模进行该基片的对位，该掩模在按预定图形将蒸镀材料蒸镀到保持于真空容器内的基片的表面时使用；其中：具有基片保持架、连接用板、位置调整装置、伸缩式筒状遮断构件及施力装置；该基片保持架在保持于上述真空容器内的掩模的上方通过悬挂构件保持，该悬挂构件插通到形成于该真空容器的壁体的贯通孔；该连接用板设于上述真空容器的外方，而且连接于上述悬挂构件；该位置调整装置可使该连接用板移动而调整保持于基片保持架的蒸镀室内的基片相对掩模的位置；该伸缩式筒状遮断构件外嵌于上述悬挂构件，而且设于壁体的贯通孔的外周与上述连接用板之间，遮断真空侧与大气侧；该施力装置产生与上述筒状遮断构件的内侧处于真空状态所产生的作用于连接用板的推压力方向相反的力。

另外，上述位置调整装置构成为，使得通过悬挂构件和基片保持架保持于连接用板的基片可平行于掩模表面移动。

另外，在上述位置调整装置具有可在基片表面正交的轴心方向移动连接用板的功能。

另外，上述施力装置的施力可调整。

发明的效果

按照上述构成，当在预定真空下相对掩模进行基片的对位时，由于在真空容器的外部配置基片的位置调整装置，所以，不需要使用考虑了真空下的材料等，同时，也不需要特殊的密封机构等，因此，装置自身的制造成本变得低廉。

另外，由于具有可与在真空下由大气压产生的推压力对抗的力的施力装置，所以，可防止在位置调整装置作用多余的外力，因此，可高精度地维持基片相对掩模的对位。

附图说明

图1为示出设置了本发明实施形式1的校准装置的真空蒸镀装置的概略构成的截面图。

图2为该校准装置的基片保持架和基片的概略透视图。

图3为该校准装置的概略透视图。

图4为该校准装置的截面图。

图5为该校准装置的平面内移动装置的平面图，(a)示出平面内移动装置的构成，(b)～(f)说明其动作。

图6为说明该校准装置的基片与掩模的对位动作的平面图。

图7为本发明实施形式2的校准装置的截面图。

图8为示出该实施形式2的校准装置的变型例的截面图。

图9为示出该实施形式2的校准装置的另一变型例的截面图。

图10为本发明实施形式3的校准装置的截面图。

图11为该实施形式3的校准装置的变型例的截面图。

图12为该实施形式3的校准装置的另一变型例的截面图。

具体实施方式

下面说明本发明实施形式的真空蒸镀用校准装置。

该真空蒸镀用校准装置例如设于用于制造有机EL显示器的显示部的真空蒸镀装置，当使用掩模按预定的图形将有机材料(蒸镀材料)蒸镀到玻璃基片的表面而获得导体图形时，用于保持掩模并相对玻璃基片进行该掩模的对位。

[实施形式1]

下面，根据图1～图6说明实施形式1的真空蒸镀用校准装置。