[发明专利]SIMOX晶片的制造方法及用该方法制造的SIMOX晶片

权利要求书

1.SIMOX晶片的制造方法，其特征在于包含：

向硅片注入氧离子的工序，

洗涤所述注入了氧离子的硅片的工序，和

通过对所述洗涤了的硅片进行热处理在所述硅片的内部形成埋入氧化膜的工序，

进一步含有：在向所述硅片注入氧离子后且在洗涤所述硅片前，将所述硅片浸渍在氢氟酸水溶液中，对形成于所述硅片表面的SiO₂膜进行蚀刻处理的工序，

所述蚀刻处理时的氢氟酸水溶液对所述SiO₂膜的蚀刻速率为150～3000/分钟。

2.权利要求1所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，将向硅片注入氧离子分成多次进行，在这些氧离子注入工序的任意一次的注入工序后立即或2次以上的各注入工序之后立即将所述硅片浸渍在氢氟酸水溶液中。

3.权利要求1或2所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，氢氟酸水溶液的温度超过该氢氟酸水溶液的凝固点且为40℃以下，硅片在所述氢氟酸水溶液中的浸渍时间为10～600秒。

4.权利要求1或2所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，将氢氟酸水溶液对SiO₂膜的蚀刻速率设为R(/分钟)、将所述晶片在所述氢氟酸水溶液中的浸渍时间设为H(秒)时，设定所述浸渍时间使H≥(1500/R)(秒)。

5.权利要求1所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，向氢氟酸水溶液中添加表面活性剂。

6.SIMOX晶片，其用权利要求1所述的方法制造，且在23℃的温度下浸渍在浓度为50重量％的氢氟酸水溶液中30分钟后所观察到的缺陷即贯通SOI层的深缺陷的个数为0.05个/cm²以下。