[发明专利]硅单晶提拉装置及其方法

权利要求书

1.一种硅单晶提拉装置，构成如下：使设置在炉室内的存留有硅熔融液的石英坩埚以规定的旋转速度旋转，并使从上述硅熔融液提拉的硅单晶棒以规定的旋转速度旋转，沿垂直方向隔开规定的间隔T配设分别以上述坩埚的旋转轴为线圈中心的第1线圈及第2线圈，分别对上述第1及第2线圈通以同向的电流，由此使上述第1和第2线圈之间产生磁场，从而提拉上述单晶棒，

其特征在于上述第1线圈设置在上述炉室外，上述第2线圈设置在上述炉室内。

2.权利要求1所述的硅单晶提拉装置，其中，第1线圈与第2线圈的垂直方向的间隔T为超过0并且在10000mm以下，上述第1线圈的直径D₁为100mm以上10000mm以下，上述第2线圈的直径D₂为5mm以上5000mm以下，上述第1线圈的直径D₁与上述第2线圈的直径D₂之比为1以上2000以下，并且在将炉室外周的壁厚设为t时，从上述第1线圈的直径D₁减去第2线圈的直径D₂的差值在2t以上。

3.一种硅单晶提拉方法，其特征在于：使设置在炉室内的存留有硅熔融液的石英坩埚以规定的旋转速度旋转，并使从上述硅熔融液提拉的硅单晶棒以规定的旋转速度旋转，在上述炉室外，以上述石英坩埚的旋转轴为线圈中心设置具有比上述炉室外径更大线圈直径的的第1线圈，在上述炉室内，沿着和上述第1线圈垂直的方向隔开规定的间隔T，设置以上述石英坩埚的旋转轴为线圈中心的第2线圈，分别对上述第1以及第2线圈通以同向的电流，由此使上述第1和第2线圈之间产生磁场，从而提拉上述单晶棒，

其特征在于将第1和第2线圈的规定间隔T的中间位置与上述硅熔融液的表面之间的距离设为H时，控制中间位置在硅熔融液的表面或其下方以使满足0mm≤|H|≤10000mm。

4.权利要求3所述的硅单晶提拉方法，其中，当第1线圈中通过的电流设为I₁，第2线圈中通过的电流设为I₂时，给第1线圈和第2线圈通入I₁和I₂在0.1～10³⁰A的范围、并且满足0.001≤(I₁/I₂)≤1000的电流，控制中间位置和石英坩埚的内径等同位置的磁通密度为0.001～1.0T(Wb/m²)。