[发明专利]孔密封和清洁多孔低介电常数的结构

权利要求书

1. 一种用于密封暴露在经蚀刻结构的表面的多孔介电材料的孔的方法，所述方法的特征在于，包括向所述经蚀刻结构应用胶束溶液的步骤。

2. 如权利要求1所述的加工方法，其中所述经蚀刻结构是在具有等于或小于约3.0的体介电常数的多孔介电材料中形成的。

3. 如权利要求1或2所述的加工方法，其中所述经蚀刻结构上具有蚀刻残余物，并且所述应用步骤包括：应用适于除去蚀刻残余物以及密封所述暴露的孔的胶束溶液。

4. 如权利要求3所述的加工方法，其中所述胶束溶液包括浓度高于其各自的临界胶束浓度的一种或多种表面活性剂，所述一种或多种表面活性剂选自：

阳离子型表面活性剂，其选自：卤化季铵、季铵盐、长链胺、长链二胺、长链聚胺、长链胺的盐、二胺和聚胺、聚氧乙烯化(或季铵化POE)长链胺和氧化胺；

阴离子型表面活性剂，其选自：羧酸和羧酸盐、胺和胺盐、磺酸和硫酸/磷酸酯和盐、含氟表面活性剂；

非离子型表面活性剂，其选自：烷基酚乙氧基化物、羧酸酯、含氟表面活性剂、聚氧乙烯化(POE)乙氧基化醇/二醇、POE聚氧化丙二醇、POE硫醇、烷醇酰胺、烷基吡咯烷酮；和

两性离子表面活性剂，其选自：烷基氨基丙酸和亚氨基丙酸、咪唑啉羧酸盐、烷基甜菜碱、胺和氧化胺。

5. 如权利要求1至4中任一项所述的加工方法，其中所述胶束溶液包括浓度高于其各自的临界胶束浓度的一种或多种表面活性剂，并且所述一种或多种表面活性剂在所述胶束溶液中的总量相对于所述溶液的总重量为约0.05～约5.0wt％。

6. 如权利要求4所述的加工方法，其中所述一种或多种表面活性剂在所述胶束溶液中的总量相对于所述溶液的总重量为约0.1～约3.0wt％。

7. 用于密封多孔介电材料内的孔的设备，所述设备包括具有清洁流体分配部分的蚀刻后湿法清洁设备，其中给所述设备在其清洁流体分配部分内提供胶束溶液。

8. 一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

在半导体晶片上形成处于至少一个级的多孔介电材料层；

蚀刻至少一个结构，由此暴露处于所述经蚀刻结构的表面或侧壁的所述多孔介电材料的孔；和

向所述晶片应用胶束溶液，由此密封所述多孔介电材料的暴露孔。

9. 如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中所述多孔介电材料是具有等于或小于约3.0的体介电常数的材料。

10. 如权利要求8或9所述的半导体器件制造方法，其中所述经蚀刻结构上具有蚀刻残余物，并且所述应用步骤包括：应用适于除去所述蚀刻残余物以及密封所述多孔介电材料的暴露孔的胶束溶液。

11. 如权利要求10所述的半导体器件制造方法，其中所述胶束溶液包括浓度高于其各自的临界胶束浓度的一种或多种表面活性剂，所述一种或多种表面活性剂选自：

阳离子型表面活性剂，其选自：卤化季铵、季铵盐、长链胺、长链二胺、长链聚胺、长链胺的盐、二胺和聚胺、聚氧乙烯化(或季铵化POE)长链胺和氧化胺；

阴离子型表面活性剂，其选自：羧酸和羧酸盐、胺和胺盐、磺酸和硫酸/磷酸酯和盐、含氟表面活性剂；

非离子型表面活性剂，其选自：烷基酚乙氧基化物、羧酸酯、含氟表面活性剂、聚氧乙烯化(POE)乙氧基化醇/二醇、POE聚氧化丙二醇、POE硫醇、烷醇酰胺、烷基吡咯烷酮；和

两性离子表面活性剂，其选自：烷基氨基丙酸和亚氨基丙酸、咪唑啉羧酸盐、烷基甜菜碱、胺和氧化胺。

12. 如权利要求8至11中任一项所述的半导体器件制造方法，其中所述胶束溶液包括浓度高于其各自的临界胶束浓度的一种或多种表面活性剂，并且所述一种或多种表面活性剂在所述胶束溶液中的总量相对于所述溶液的总重量为约0.05～约5.0wt％。

13. 如权利要求11所述的半导体器件制造方法，其中所述一种或多种表面活性剂在所述胶束溶液中的总量相对于所述溶液的总重量为约0.1～约3.0wt％。