[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

半导体衬底；

第一杂质扩散区域，其形成在上述半导体衬底的表层上；

第一绝缘膜，其在上述第一杂质扩散区域上具有第一孔；

导电膜，其形成在上述第一孔的内面上，并与上述第一杂质扩散区域电连接；

填充体，其以填埋上述第一孔的厚度形成在上述导电膜上，并与该导电膜一起构成第一接触塞，而且至少该填充体的上表面由非晶态的绝缘材料构成；

电容器，其形成在上述第一接触塞上，并具有与上述导电膜电连接的下部电极、由铁电材料构成的电容器电介质膜以及上部电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述填充体的上表面实施过平坦化处理。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述填充体的整个部分由上述绝缘材料构成。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

在上述第一绝缘膜上形成有第二孔，该第二孔与上述第一孔之间留有间隔，

而且，上述半导体器件具有：

第二杂质扩散区域，其形成在上述第二孔下的上述半导体衬底的表层上；

第二接触塞，其形成在上述第二孔内，上表面的高度比上述第一接触塞还低，而且与上述第二杂质扩散区域电连接；

防氧化绝缘膜，其形成在上述第一绝缘膜上，在上述第一孔上具有形成上述第一接触塞的第一开口，而且在上述第二孔上具有第二开口；

第二绝缘膜，其覆盖上述电容器，并在上述上部电极和上述第二开口上分别具有第三、第四孔；

第三接触塞，其形成在上述第三孔内，并与上述上部电极电连接；

第四接触塞，其形成在上述第四孔内和上述第二开口内，并与上述第二接触塞电连接。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，上述第一接触塞的直径比上述第二接触塞的直径还大。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述第一绝缘膜上具有防氧化绝缘膜，该防氧化绝缘膜在上述第一孔上具有第一开口，

上述第一接触塞由形成在上述第一孔内的下段塞和形成在上述第一开口内的上段塞构成。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

上述下段塞具有上述导电膜和由导电材料构成的下部填充体，

上述上段塞具有上部导电膜和由上述绝缘材料构成的上部填充体，该上部导电膜覆盖该上部填充体的侧面和底面，并与上述导电膜电连接。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述填充体具有下部填充体和上部填充体，其中，下部填充体由能够以小于上述第一孔深度的高度填埋上述第一孔的导电材料构成，该上部填充体形成在该下部填充体上，并由上述绝缘材料构成。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述导电膜是钛膜、氮化钛膜、氮化铝钛膜、铱膜、氧化铱膜、铂膜及钌膜中的任一种单层膜，或者是层叠它们中的至少两种的叠层膜。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述非晶态的绝缘材料是氧化硅、氮化硅，氮氧化硅以及氧化铝中的任一种。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底的表层上形成第一杂质扩散区域的工序；

在上述半导体衬底上形成第一绝缘膜的工序；

对上述第一绝缘膜进行图案成形，从而在上述第一杂质扩散区域上的上述第一绝缘膜上形成第一孔的工序；

在上述第一孔的内面形成导电膜的工序；

在上述导电膜上形成填充体，并将该填充体和上述导电膜作为第一接触塞的工序，其中，该填充体至少上表面由非晶态的绝缘材料构成，而且具有能够填埋上述第一孔的厚度；

在上述第一接触塞上，将与上述导电膜电连接的下部电极、由铁电材料构成的电容器电介质膜及上部电极依次层叠，从而形成电容器的工序。