[发明专利]显示器、列驱动集成电路、和多电平检测器,以及多电平检测方法有效
申请号: | 200580051653.1 | 申请日: | 2005-11-03 |
公开(公告)号: | CN101273395A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 李龙宰 | 申请(专利权)人: | 安纳帕斯股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 驱动 集成电路 电平 检测器 以及 检测 方法 | ||
1.一种多电平检测器,该多电平检测器包括:
第一共模移除电路,用于接收包括第一信号和第二信号的第一差分多电平信号,并输出包括第三信号和第四信号的第二差分多电平信号,其中通过移除所述第一差分多电平信号的共模生成所述第二差分多电平信号;
第一比较器,用于接收所述第二差分多电平信号以及包括第一参考信号和具有比所述第一参考信号的电压值更低电压值的第二参考信号的差分参考信号,并根据所述第三信号的电压和所述第一参考信号的电压二者的比较结果,以及根据所述第四信号的电压和所述第二参考信号的电压二者的比较结果,输出两个逻辑值中的一个;
第二比较器,用于接收所述第二差分多电平信号和所述差分参考信号,并根据所述第四信号的所述电压和所述第一参考信号的所述电压二者的比较结果,以及根据所述第三信号的所述电压和所述第二参考信号的所述电压二者的比较结果,输出所述两个逻辑值中的一个;以及
运算单元,用于输出多电平检测结果,其中所述多电平检测结果是所述第一比较器和所述第二比较器二者的输出的逻辑运算的结果。
2.根据权利要求1所述的多电平检测器,其中所述第一共模移除电路包括:
第一晶体管,用于通过其栅极接收所述第一信号并用于通过其漏极输出所述第四信号;
第二晶体管,用于通过其栅极接收所述第二信号并用于通过其漏极输出所述第三信号;
电流源,其连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管二者的源极;
第一负载,其连接在电压源和所述第一晶体管的所述漏极之间;以及
第二负载,其连接在所述第二晶体管的所述漏极和所述电压源之间。
3.根据权利要求1所述的多电平检测器,其中所述第一共模移除电路包括:
第一晶体管,用于通过其栅极接收所述第一信号并用于通过其漏极输出所述第四信号;
第二晶体管,用于通过其栅极接收所述第二信号并用于通过其漏极输出所述第三信号;
第一电流源,其连接到所述第一晶体管的源极;
第二电流源,其连接到所述第二晶体管的源极;
第一负载,其连接在电压源和所述第一晶体管的所述漏极之间;
第二负载,其连接在所述第二晶体管的所述漏极和所述电压源之间;以及
第三负载,其连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管二者的所述源极之间。
4.根据权利要求1所述的多电平检测器,其中所述第一共模移除电路包括:
第一晶体管,用于通过其栅极接收所述第一信号并用于通过其漏极输出所述第四信号;
第二晶体管,用于通过其栅极接收所述第二信号并用于通过其漏极输出所述第三信号;
第一电流源,其连接到所述第一晶体管的源极;
第二电流源,其连接到所述第二晶体管的源极;
第三晶体管,其连接在电压源和所述第一晶体管的所述漏极之间;
第四晶体管,其连接在所述第二晶体管的所述漏极和所述电压源之间,其栅极连接到所述第三晶体管的栅极;
第三负载,其连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管二者的所述源极之间;
第四负载,其连接在所述第三晶体管的漏极和栅极之间;以及
第五负载,其连接在所述第四晶体管的漏极和栅极之间。
5.根据权利要求1所述的多电平检测器,其中当所述第三信号的所述电压高于所述第一参考信号的所述电压且所述第四信号的所述电压低于所述第二参考信号的所述电压时,所述第一比较器输出所述两个逻辑值中的第一逻辑值,或在相反情况下,输出所述两个逻辑值中的第二逻辑值,并且
其中当所述第四信号的所述电压高于所述第一参考信号的所述电压且所述第三信号的所述电压低于所述第二参考信号的所述电压时,所述第二比较器输出所述第一逻辑值,或在相反情况下,输出所述第二逻辑值。
6.根据权利要求5所述的多电平检测器,其中当所述第一比较器和所述第二比较器中的至少一个输出所述第一逻辑值时,所述运算单元输出表示高电平的所述多电平检测结果,否则输出表示低电平的所述多电平检测结果。
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