[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造技术，尤其涉及可有效适用于从半导体晶片上将多个半导体芯片单片化的切割工序的技术。

背景技术

在日本特开平9-1542号公报(专利文献1)中公开了如下技术：在从半导体晶片等薄板状原材料上切出规定尺寸的多个部件的切断工序中，避免存在于薄板状原材料的周边部的小片飞散而碰到切断刀片或薄板状原材料而致使其破损。具体而言，将沿着半导体晶片的切断行程(切断区域)设定得比划线的总长短，从而在半导体晶片的周边部留有不进行切断的部分。

在日本特开2002-43254号公报(专利文献2)中公开了如下技术：利用具有检测半导体晶片外端的装置的切割设备进行切割。具体而言，存储由检测半导体晶片外端的装置检测出的外端数据，并根据该数据从自一个外端向内一定范围的内部起开始切割。并且，切割到距另一个外端向内一定范围的内部为止。

在日本特开平5-90406号公报(专利文献3)中公开了如下技术：当切割半导体晶片时，在纵横两个切割方向上交替地设置从半导体晶片周缘部以外进行切割的第一切割线和从半导体晶片周缘部以内进行切割的第二切割线。

在日本特开平6-224298号公报(专利文献4)中公开了一种改进了的半导体晶片切割方法，使得在中止切断而将半导体晶片从切割台暂时取下后，即使重新开始切断，也很少产生不合格部分。具体而言，切断半导体晶片时，在切割线上产生局部切割残留部分。接着，中止切断而将半导体晶片从切割台取下。然后，更换刀片并再次开始半导体晶片的切断。这时，在切割线上对局部切割残留部分进行切断。

另外，还公开了一种以2步切断工序来形成1条切割线的技术(分步切割)(非专利文献1)。

专利文献1：日本特开平9-1542号公报

专利文献2：日本特开2002-43254号公报

专利文献3：日本特开平5-90406号公报

专利文献4：日本特开平6-224298号公报

非专利文献1：SEMICONDUCTOR MANUFACTURING HANDBOOK(参照项目20.4.2)

发明内容

在半导体器件的制造工序中，由所谓的前工序在半导体晶片的芯片区域上形成电路元件和多层布线。之后，形成了电路元件和多层布线的半导体晶片，通过作为所谓的后工序的一部分的切割工序，被切断为各个半导体芯片。

在切割工序中，将半导体晶片装在粘贴了切割带的切割架上，沿着在半导体晶片的纵横方向上形成的划线，切断半导体晶片.作为在该切割工序中形成的切断线的多条切割线的每一条，将半导体晶片完全切断.即，在纵横方向上对半导体晶片形成的切割线，从半导体晶片的端部切断到端部并切出半导体芯片.

可是，半导体晶片大致为圆形，而被单片化的半导体芯片为矩形。就是说，在半导体晶片的中央部，可以取得矩形的合格品，但是，在半导体晶片的外周部，形成与矩形不同的例如为三角形的异形小片。即，当形成切割线以将半导体晶片完全切断时，在半导体晶片的外周部将切出并生成呈三角形的小片。切割是在将半导体晶片粘贴在切割带上的状态下实施的，通常，呈三角形的小片也粘贴在切割带上。

但是，从半导体晶片单片化的半导体芯片的尺寸日益减小。所以，在半导体晶片上形成的切割线的间隔也越来越狭窄。因此，由切割形成的小片的尺寸变小。特别是，作为液晶显示装置的驱动器使用的半导体芯片的形状例如为长方形，形成长方形的短边方向的切割线的间隔变窄。

当由切割形成的小片的尺寸变小时，与切割带的粘接面积变小，所以使小片与切割带的粘接力降低。因此，在通过切割将小片切断的瞬间，在切割时的力的作用下使小片飞散，根据飞散方向，与在半导体晶片上形成的合格品芯片的表面接触。由此，会损伤合格品芯片，产生使制造成品率降低的问题。

本发明的目的是，提供一种可以通过防止切割时形成的异形小片的飞散，从而使半导体器件的制造成品率提高的技术。

本发明的上述以及其他的目的和新的特征，从本说明书的记述和附图得到明确。

简单说明本申请所公开的发明中的代表性技术方案的概要如下。