[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法无效
| 申请号： | 200610002667.0 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101007944A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光谱 砷化铟 砷化铟镓 砷化镓 量子 材料 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
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