[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610002758.4 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1819288A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 泷哲也;生川满久;青木真登;奥野浩司;丰田优介;西岛和树;山田修平 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610002758.4/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：能抑制在运转期间所引发的半频率旋振的主轴马达
- 下一篇：吸收空气噪声的构件
