[发明专利]超宽频带信号发生器有效
申请号: | 200610003310.4 | 申请日: | 2006-02-05 |
公开(公告)号: | CN101106354A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 拉扎西·马可帕帝;西勃汀·纳提克;朴伦绪;尹庠雄;寓相炫;姜贤一;李彰浩;卓依·拉斯基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;佐治亚科技研究公司 |
主分类号: | H03B1/04 | 分类号: | H03B1/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;李云霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽频 信号发生器 | ||
1.一种超宽频带信号发生器,包括:
可调有源感应器,用于产生具有在非线性操作范围内彼此基本相同的功率强度的谐波信号,该可调有源感应器能对其值进行调谐;
振荡器,用于通过将从可调有源感应器产生的谐波信号频率转变成高频带来放大所述谐波信号并将其输出;和
滤波器,用于选择性地输出从振荡器输出的谐波信号之一。
2.如权利要求1所述的超宽频带信号发生器,其中,所述可调有源感应器包括:
第一晶体管,具有连接到电压源的源极和连接到第一偏置电压的栅极;
第二晶体管,具有连接到第一晶体管的漏极的漏极和连接到第二偏置电压的栅极;
第三晶体管,具有连接到第二晶体管的源极的漏极和连接到地的源极;
第四晶体管,具有连接到第三晶体管的栅极的漏极、连接到地的源极和连接到第三偏置电压的栅极;
第五晶体管,具有连接到第四晶体管的漏极的源极和连接到电压源的漏极;和
第一可调阻抗,置于第一晶体管的漏极和第五晶体管的栅极之间。
3.如权利要求2所述的超宽频带信号发生器,其中,所述第一可调阻抗包括:
第一电阻器,置于第一晶体管的漏极和第五晶体管的栅极之间;和
第六晶体管,具有连接到第一晶体管的漏极的漏极、连接到第五晶体管的栅极的源极和连接到第四偏置电压的栅极。
4.如权利要求1所述的超宽频带信号发生器,其中,所述振荡器包括:
第七晶体管,具有连接到可调有源感应器的基极;
第一电容器,置于可调有源感应器和第七晶体管之间;
第三电阻器,置于第五偏置电压和第七晶体管的基极之间;
第二电容器,置于第七晶体管的基极和第七晶体管的发射极之间;
第三电容器,置于地和第二电容器之间;
第一电流源,置于第七晶体管的发射极和地之间;
第一感应器,置于电压源和第七晶体管的集电极之间;和
第四电容器,置于第七晶体管的集电极和输出端之间。
5.如权利要求4所述的超宽频带信号发生器,其中,所述滤波器通过使用第一感应器和置于第七晶体管的集电极和地之间的第一可变电容器执行滤波。
6.如权利要求1所述的超宽频带信号发生器,其中,所述振荡器包括:
第八晶体管,具有置于可调有源感应器和第六偏置电压之间的基极;
第五电容器,置于可调有源感应器和第八晶体管之间;
第二可变电容器,置于第八晶体管的基极和第八晶体管的发射极之间;
第三可变电容器,置于第二可变电容器和地之间;
第四电阻器,置于第八晶体管的发射极和地之间;
第二感应器,置于电压源和第八晶体管的集电极之间;和
第六电容器,置于第八晶体管的集电极和输出端之间。
7.如权利要求6所述的超宽频带信号发生器,其中,所述滤波器通过使用第二感应器和置于第八晶体管的集电极和地之间的第四可变电容器执行滤波。
8.一种超宽频带信号发生器,包括:
可调有源感应器,用于产生具有在非线性操作范围内彼此基本相同的功率强度的谐波信号,该可调有源感应器能对其值进行调谐;
第一晶体管,具有连接到可调有源感应器的基极;
第一电阻器,置于第一偏置电压和第一晶体管的基极之间;
第一电容器,置于第一晶体管的基极和发射极之间;
第二电容器,置于第一电容器和地之间;
第一电流源,置于第一晶体管的发射极和地之间;
第一感应器,置于电压源和第一晶体管的集电极之间;
第三电容器,置于第一晶体管的集电极和输出端之间;和
第一可变电容器,置于第一晶体管的集电极和地之间。
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