[发明专利]用于控制半导体存储器件中的时序偏移的电路和方法无效
申请号: | 200610004965.3 | 申请日: | 2006-01-12 |
公开(公告)号: | CN1822218A | 公开(公告)日: | 2006-08-23 |
发明(设计)人: | 金杜烈;徐成旻;郑秉勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/24 | 分类号: | G11C7/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;王志森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 半导体 存储 器件 中的 时序 偏移 电路 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610004965.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子显示面板
- 下一篇:半导体存储装置和利用其的存储系统